[发明专利]光掩模坯料、光掩模坯料制造方法和光掩模制造方法

权利要求书

1.光掩模坯料，其被加工为透射光掩模，该透射光掩模用于使用波长至多250nm的曝光光形成图案的光刻,该光掩模坯料包括：

透明衬底，

第一膜，其设置在该衬底上并且由含铬材料形成，该含铬材料可通过使用氯气和氧气的气体混合物的氯/氧系干蚀刻来蚀刻并且耐受使用含氟气体的氟系干蚀刻，和

第二膜，其与该第一膜邻接地设置并且由含有硅/氧的材料形成，该含有硅/氧的材料在该第一膜的氯/氧系干蚀刻过程中基本上未被蚀刻，在将该第一膜图案化时该第二膜用作蚀刻掩模，

该第二膜包括与该第一膜邻接的区域和在膜厚方向上与该邻接的区域间隔的一侧，该邻接的区域的氧含量低于该间隔的一侧的氧含量。

2.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中形成该第二膜的含有硅/氧的材料含有氮和碳中的一者或两者。

3.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中该第二膜的与该第一膜邻接的区域不含氧。

4.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中该第二膜由多层组成，该多层包括与该第一膜邻接的第一层和与该第一层邻接的第二层，该第一层的氧含量低于该第二层的氧含量。

5.根据权利要求4所述的光掩模坯料，其中形成该第二膜的含有硅/氧的材料含有氮和碳中的一者或两者。

6.根据权利要求4所述的光掩模坯料，其中该第一层不含氧。

7.根据权利要求6所述的光掩模坯料，其中该第一层为Si或SiN层，并且该第二层为SiO层。

8.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中该第二膜具有2-20nm的厚度。

9.制备根据权利要求1所述的光掩模坯料的方法，包括如下步骤：

将该透明衬底放入溅射室中，

通过溅射在该衬底上沉积该第一膜，和

在不含含氧气体的气氛中通过溅射来开始沉积该第二膜，继续溅射预定的时间直至沉积该第二膜的一部分，经过预定的时间后开始供给含氧气体，于是在含有含氧气体的气氛中溅射，由此沉积该第二膜的剩余部分的一部分或全部。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在沉积该第一膜的步骤与沉积该第二膜的步骤之间还包括：将任何含氧气体排出该溅射室的步骤。

11.制备根据权利要求1所述的光掩模坯料的方法，包括如下步骤：

将该透明衬底放入溅射室中，

通过溅射在该衬底上沉积该第一膜，和

通过供给低流量的含氧气体并在具有低浓度的含氧气体的气氛中溅射来开始沉积该第二膜，继续溅射预定的时间直至沉积该第二膜的一部分，经过预定的时间后供给高流量的含氧气体，于是在具有高浓度的含氧气体的气氛中溅射，由此沉积该第二膜的剩余部分的一部分或全部。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在沉积该第一膜的步骤与沉积该第二膜的步骤之间还包括：减小该溅射室中含氧气体的浓度的步骤。

13.生产光掩模的方法，包括下述步骤：

在根据权利要求1所述的光掩模坯料的第二膜中形成掩模图案，和

在将该第二膜中的掩模图案用作蚀刻掩模时，通过使用氯气和氧气的气体混合物的氯/氧系干蚀刻来将该第一膜图案化。