[发明专利]焊盘的制作方法在审
申请号: | 201810840591.1 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109065459A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 刘珊珊;廖汉忠;陈顺利;丁逸圣 | 申请(专利权)人: | 大连德豪光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L33/62 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郭玮;李双皓 |
地址: | 116051 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 焊盘 锡膏 掩膜层 孔槽 热处理 预设 电化学 材料成本 固体状态 合金材料 冷却处理 熔融状态 涂布锡膏 锡膏涂布 对孔槽 上表面 电镀 电极 产能 溅射 晶圆 填满 蒸镀 去除 制备 制作 申请 制造 | ||
1.一种焊盘的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
在晶圆的电极的上表面形成掩膜层,所述掩膜层包括多个孔槽;
在所述掩膜层上涂布锡膏,使得所述锡膏填满所述多个孔槽;
根据预设的第一温度,对所述孔槽中的锡膏进行热处理,使得所述孔槽中的锡膏呈熔融状态;
根据预设的第二温度,对热处理后的锡膏进行冷却处理,使得所述孔槽中的锡膏呈固体状态;
去除所述掩膜层,得到所述焊盘。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除所述掩膜层,得到所述焊盘之后,所述方法还包括:
对所述焊盘的固晶面进行研磨,使得所述焊盘的固晶面积最大。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述在晶圆的电极的上表面形成掩膜层,包括:
通过贴膜的方式将薄膜材料粘合在所述晶圆上,形成薄膜层,所述薄膜材料为光敏材料;
通过紫外线照射所述薄膜层,在所述薄膜层上形成所述多个孔槽,得到所述掩膜层。
4.根据权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,所述在所述掩膜层上涂布锡膏,包括:
通过旋涂机将所述锡膏涂布在所述掩膜层上。
5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述通过旋涂机将所述锡膏涂布在所述掩膜层上,包括:
根据预设的稀释液和锡膏之间的比例,对所述锡膏进行稀释,得到稀释后的锡膏;
通过所述旋涂机将所述稀释后的锡膏涂布在所述掩膜层上。
6.根据权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,所述焊盘的径向尺寸大于或者等于3μm,所述焊盘的厚度为4μm~120μm。
7.根据权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,若焊点温度小于预设的第三温度,则所述锡膏包括锡元素、银元素、锡元素和铋元素;若所述焊点温度大于或等于所述第三温度,则所述锡膏包括锡元素、铜元素和金元素。
8.根据权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,所述在晶圆的电极的上表面形成掩膜层之前,所述方法还包括:
采用沉积或溅射的方式,在所述晶圆上制备一金属层,形成所述电极。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述电极的材质为金元素材质;
或者,所述电极自下而上依次包括镍元素层、钛元素层和金元素层;
或者,所述电极自下而上依次包括铬元素层和金元素层。
10.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述电极的厚度为100nm~300nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造