[发明专利]一种基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器及其制备方法有效
申请号: | 201810840948.6 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109103277B | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 杨为家;沈耿哲;何鑫;梁萍;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛;陈毅湛 | 申请(专利权)人: | 五邑大学 |
主分类号: | H01L31/0296 | 分类号: | H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/09;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 梁嘉琦 |
地址: | 529000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 zno 纳米 网格 紫外 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)混合溶液的制备:将醋酸锌和乙醇按0.08-0.8g:20-160mL的比例制备混合溶液,搅拌30-70min,制得混合溶液A;然后将醋酸锌、碳酸锌、乙醇按0.08-0.8g:0.035-0.4g:20-160mL的比例制备混合溶液,搅拌30-70min,制得混合溶液B;
(2)薄膜C的制备:在衬底上滴加4-12滴混合溶液A,接着第一次利用旋涂仪以350-500r/min的速度旋转衬底30-90s,接着第二次以1200-1600r/min的速度旋转10-50s,接着第三次以3500-5500r/min的速度旋转50-140s,并在旋转过程中滴加4-15滴混合溶液A,制得薄膜C,备用;
(3)低温烘干:在60-130℃下烘烤薄膜C 8-40min,备用;
(4)以步骤(3)所得薄膜为基础,依次重复步骤(2)和(3)5-25次,制得薄膜D;
(5)以薄膜D为基础,使用混合溶液B替代步骤(2)中的混合溶液A,依次按照步骤(2)和(3)重复1-3次,制得多层薄膜E;
(6)高温烧结:将多层薄膜E以每分钟3-8℃的速率升温到350-650℃,保温0.5-3h,制得ZnO纳米网格样品;
(7)制备金属纳米粒子:将经步骤(6)制备好的ZnO纳米网格样品转移到喷金仪中,并在0.6-1.0mbar,9-11mA的电流下溅射金属靶材5-10s,获得直径为1-15nm的金属纳米粒子;
(8)制备电极:在步骤(7)的基础上使用掩膜板遮挡,在0.6-1.0mbar,9-11mA的电流下分别溅射两种靶材40-140s,然后在150-450℃下进行合金化处理1-3h,获得电极,最后组装获得所述紫外光电探测器。
2.根据权利要求1所述的一种基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器的制备方法,其特征在于,步骤(1)中制备混合溶液A的醋酸锌和乙醇的比例为0.1-0.5g:30-120mL,制备混合溶液B的醋酸锌、碳酸锌、乙醇的比例为0.1-0.5g:0.035-0.2g:30-120mL。
3.根据权利要求1所述的一种基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器的制备方法,其特征在于,步骤(3)中在80-120℃下烘烤薄膜C。
4.根据权利要求1所述的一种基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器的制备方法,其特征在于,步骤(6)中以每分钟3-5℃的速率升温到450-550℃,保温1-2h。
5.根据权利要求1所述的一种基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器的制备方法,其特征在于,步骤(7)中在0.8mbar下,使用10mA的电流溅射金属靶材。
6.根据权利要求1所述的一种基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器的制备方法,其特征在于,步骤(8)中在200-400℃下进行合金化处理1-2h。
7.根据权利要求1所述的一种基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器的制备方法,其特征在于,步骤(8)中靶材为Pt、Cr。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于五邑大学,未经五邑大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810840948.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的