[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201810841631.4 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109003989B | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 贝亮亮;郑丽华;陈国照 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,设置有显示区和非显示区,所述显示区包括开口区和非开口区,所述阵列基板包括:
衬底基板;
第一缓冲层,覆盖在所述衬底基板的第一表面;
第一隔离层,设置在所述第一缓冲层远离所述衬底基板的表面;
第二缓冲层,覆盖在所述第一隔离层远离所述衬底基板的表面;
位于所述非开口区的像素驱动电路,所述像素驱动电路设置在所述第二缓冲层远离所述衬底基板的一侧,并包括挖孔区;
其中,所述第一隔离层和所述第二缓冲层在所述衬底基板上的正投影均与所述挖孔区交叠,所述第一隔离层和所述第二缓冲层在所述衬底基板上的正投影均与所述开口区不交叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
色阻层,设置在所述第一缓冲层远离所述衬底基板的表面并位于所述开口区;以及,
平坦化层,覆盖在所述色阻层和所述像素驱动电路远离所述衬底基板的表面。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述像素驱动电路包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的源漏极金属层与所述色阻层之间的高度差为h,h≤0.6μm。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述色阻层的厚度为D0,1.5μm≤D0≤3μm。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一隔离层为氧化铟锡。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一隔离层的厚度为D1,
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二缓冲层的厚度为D2,
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一缓冲层、所述第一隔离层和所述第二缓冲层的总厚度为D3,其中,
9.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述阵列基板设置有显示区和非显示区,所述显示区包括开口区和非开口区,所述制备方法包括:
提供衬底基板;
制作第一缓冲层,使所述第一缓冲层覆盖在所述衬底基板的第一表面;
制作第一隔离层,使所述第一隔离层覆盖在所述第一缓冲层远离所述衬底基板的表面;
制作第二缓冲层,使所述第二缓冲层覆盖在所述第一隔离层远离所述衬底基板的表面;
在所述第二缓冲层远离所述衬底基板的一侧制作像素驱动电路,采用分步刻蚀的方式形成所述开口区和挖孔区,所述挖孔区位于所述非开口区,使所述第一隔离层和所述第二缓冲层在所述衬底基板上的正投影均与所述挖孔区交叠,并使所述第一隔离层和所述第二缓冲层在所述衬底基板上的正投影均与所述开口区不交叠。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,还包括:
在所述开口区制作色阻层,使所述色阻层位于所述第一缓冲层远离所述衬底基板的表面;
在所述色阻层和所述像素驱动电路远离所述衬底基板的表面形成平坦化层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的