[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201810841631.4 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109003989B | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 贝亮亮;郑丽华;陈国照 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置,涉及显示技术领域,设置有显示区和非显示区,显示区包括开口区和非开口区,包括:衬底基板;第一缓冲层,覆盖在衬底基板的第一表面;第一隔离层,设置在第一缓冲层远离衬底基板的表面;第二缓冲层,覆盖在第一隔离层远离衬底基板的表面;位于非开口区的像素驱动电路,像素驱动电路设置在第二缓冲层远离衬底基板的一侧,并包括挖孔区;其中,第一隔离层和第二缓冲层在衬底基板上的正投影均与挖孔区交叠,第一隔离层和第二缓冲层在衬底基板上的正投影均与开口区不交叠。通过引入第一隔离层,有效改善了在阵列基板的开口区和挖孔区进行挖槽的过程中导致的过刻或欠刻的问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
近年来,随着液晶显示技术的不断发展,液晶显示(LCD,Liquid CrystalDisplay)装置别是彩色液晶显示器的应用领域也在不断拓宽。由于液晶显示装置在显示运动图像方面的优越性和高对比度,已经被广泛应用于电视或监视器。总体上,液晶显示装置利用液晶分子的光学各异性和偏振特性来产生图像。液晶显示装置通常包括相对设置的一基板和第二基板以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层,液晶层中的液晶分子通过电场重新取向。因此,液晶分子的取向根据电场方向改变且液晶面板的透光率也变化,由此实现图像的显示功能。
有机电致发光器件(OLED,Organic Light-Emitting Diode)也已经成为海内外非常热门的平板显示器产业,被喻为下一代的“明星”平板显示技术,这主要是因为OLED具有功耗低、自发光、反应时间快、发光效率高、面板厚度薄、可制作大尺寸与可弯曲式面板、制程简单、低成本等特点。有机电致发光器件包括多个有机发光结构,有机发光结构包括反射电极(阳极)、发光材料层和半反射电极(阴极)。空穴和电子分别从阳极和阴极注入到发光材料层中,在发光材料层中结合产生激子且激子从激发态转变到基态时产生能量,以此来实现发光。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置,在像素驱动电路和第一缓冲层之间引入了第一隔离层,阵列基板的开口区和挖孔区可分开刻蚀,还有效改善了在阵列基板的开口区和挖孔区进行挖槽的过程中导致的过刻或欠刻的问题。
第一方面,本申请提供一种阵列基板,设置有显示区和非显示区,所述显示区包括开口区和非开口区,所述阵列基板包括:
衬底基板;
第一缓冲层,覆盖在所述衬底基板的第一表面;
第一隔离层,设置在所述第一缓冲层远离所述衬底基板的表面;
第二缓冲层,覆盖在所述第一隔离层远离所述衬底基板的表面;
位于所述非开口区的像素驱动电路,所述像素驱动电路设置在所述第二缓冲层远离所述衬底基板的一侧,并包括挖孔区;
其中,所述第一隔离层和所述第二缓冲层在所述衬底基板上的正投影均与所述挖孔区交叠,所述第一隔离层和所述第二缓冲层在所述衬底基板上的正投影均与所述开口区不交叠。
第二方面,本申请提供一种阵列基板的制备方法,所述阵列基板设置有显示区和非显示区,所述显示区包括开口区和非开口区,所述制备方法包括:
提供衬底基板;
制作第一缓冲层,使所述第一缓冲层覆盖在所述衬底基板的第一表面;
制作第一隔离层,使所述第一隔离层覆盖在所述第一缓冲层远离所述衬底基板的表面;
制作第二缓冲层,使所述第二缓冲层覆盖在所述第一隔离层远离所述衬底基板的表面;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的