[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：

基底；

多个隔离结构位于所述基底中，其中所述多个隔离结构定义出沿着第一方向延伸的多个主动区域；

多条字线位于所述基底中，其中所述多条字线沿着第二方向延伸，且所述第二方向与所述第一方向相交；

多个位线触点位于所述多个隔离结构上方，其中每一所述位线触点具有定义出位线侧面触点的扩散区域；以及

多条埋入式位线位于所述多个位线触点上方，其中每一所述埋入式位线通过所述位线侧面触点以与所述主动区域连接，所述多条埋入式位线沿着所述第一方向延伸且与所述多个主动区域平行设置。

2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，还包括衬垫以及间隙物覆盖每一所述位线触点的侧边，其中所述衬垫以及所述间隙物位于定义出所述位线侧面触点的一侧的相对位置上。

3.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中所述多个主动区域以及所述多条埋入式位线分别形成沿着所述第一方向延伸的直线。

4.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中所述第一方向与所述第二方向正相交。

5.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，还包括：

多个电容触点，其中每一所述电容触点位于两条所述埋入式位线之间，且所述埋入式位线的下表面位于较所述电容触点的下表面更高的位置；以及

多个电容，位于所述多个电容触点上。

6.根据权利要求5所述的动态随机存取存储器，其中所述多个电容为堆叠式电容。

7.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中所述主动区域以及所述埋入式位线位于同一高度。

8.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中所述动态随机存取存储器为6F²动态随机存取存储器单元或是8F²动态随机存取存储器单元。

9.一种动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，且在所述基底中定义出沟槽；

在所述基底的所述沟槽中形成多个隔离结构，所述多个隔离结构定义出沿着第一方向延伸的多个主动区域；

通过斜角离子注入步骤在所述隔离结构上方与所述沟槽中的侧壁上形成衬垫以及间隙物；

在所述基底中形成多条字线，其中所述多条字线沿着第二方向延伸，且所述第二方向与所述第一方向相交；

在所述多个隔离结构上方形成多个位线触点，其中每一所述位线触点具有定义出位线侧面触点的扩散区域，且所述衬垫以及所述间隙物覆盖每一所述位线触点的侧边；以及

在所述多个位线触点上方形成多条埋入式位线，其中每一所述埋入式位线通过所述位线侧面触点以与所述主动区域连接，所述多条埋入式位线沿着所述第一方向延伸且与所述多个主动区域平行设置，

其中所述通过斜角离子注入步骤在所述隔离结构上方与所述沟槽中的所述侧壁上形成衬垫以及间隙物包括以下步骤：

在所述隔离结构上方的所述沟槽的第一侧壁与第二侧壁上形成所述衬垫以及所述间隙物；

在位于所述第一侧壁与所述第二侧壁上的所述衬垫与所述间隙物之间的所述沟槽中形成第一氧化物层；

形成填充至所述沟槽中并覆盖所述第一氧化物层、所述衬垫与所述间隙物的遮罩；

在所述遮罩上进行斜角离子注入，以使所述遮罩存在具有和不具有离子注入的部分；

选择性的移除所述遮罩中不具有离子注入的部分以暴露出位于所述第二侧壁上的所述衬垫以及所述间隙物；

移除暴露在所述第二侧壁上的所述衬垫以及所述间隙物，并且从所述沟槽中移除所述第一氧化物层；

移除所述遮罩；以及

在所述沟槽中形成第二氧化物层，以使所述第二氧化物层的一侧被形成在所述第一侧壁上的所述衬垫与所述间隙物覆盖。

10.根据权利要求9所述的动态随机存取存储器的制造方法，其中是通过斜角磷离子注入来执行所述斜角离子注入步骤。