[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法

说明书

本发明提供一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory；DRAM)及其制造方法。所述动态随机存取存储器包括基底、多个隔离结构、多条字线、多个位线触点以及多条埋入式位线。所述隔离结构位于基底中且定义出沿着第一方向延伸的多个主动区域。所述字线位于基底中并沿着第二方向延伸，且第二方向与第一方向相交。所述位线触点位于隔离结构上，其中每一位线触点具有定义出位线侧面触点的扩散区域。埋入式位线位于位线触点上，其中每一埋入式位线通过位线侧面触点以与主动区域连接，所述埋入式位线沿着第一方向延伸且与多个主动区域平行设置。

技术领域

本发明实施例涉及一种动态随机存取存储器及其制造方法。

背景技术

随着动态随机存取存储器(dynamic random access memory；DRAM)的设计尺寸变得越来越小，半导体装置也不断地发展成为具有更高的密度。一般而言，传统的动态随机存取存储器单元需要具斜角的主动区域布局(angled active area layout)，这是因为电容必须连接到主动区域且同时不与位线短路。基于具斜角的主动区域布局，主动区域之间的间距会被紧缩，进而容易造成微影制程的困难、高位线寄生电容的产生以及较差的位线感测幅度等问题。有鉴于此，如何改善动态随机存取存储器的性能和设计为现有技术中的重要课题。

发明内容

本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法，可用以解决微影制程的困难、存储节点接触的主动接触面积小、较差的写入恢复时间特性、高位线寄生电容的产生以及较差的位线感测幅度等问题。

本发明的一实施例提供一种动态随机存取存储器，包括基底、多个隔离结构、多条字线、多个位线触点以及多条埋入式位线。多个隔离结构位于基底中且定义出沿着第一方向延伸的多个主动区域。多个位线触点位于多个隔离结构上，其中每一位线触点具有定义出位线侧面触点的扩散区域。多条埋入式位线位于多个位线触点上，其中每一埋入式位线通过位线侧面触点以与主动区域连接，埋入式位线沿着第一方向延伸且与多个主动区域平行设置。

本发明的一实施例进一步提供一种动态随机存取存储器的制造方法，包括以下步骤。提供基底，且在基底中定义出沟槽。在所述基底的沟槽中形成多个隔离结构，且所述多个隔离结构定义出沿着第一方向延伸的多个主动区域。通过斜角离子注入步骤在所述隔离结构上方与所述沟槽中的一侧壁上形成衬垫以及间隙物。多条字线是形成于基底中且沿着第二方向延伸，且第二方向与第一方向相交。于多个隔离结构上方形成多个位线触点，其中每一所述位线触点具有定义出位线侧面触点的扩散区域，且衬垫以及间隙物覆盖每一位线触点的一侧边。在多个位线触点上方形成多条埋入式位线，其中每一埋入式位线通过所述位线侧面触点与主动区域连接，所述埋入式位线沿着第一方向延伸且与多个主动区域平行设置。

基于上述，本发明的动态随机存取存储器是形成有平行于主动区域的埋入式位线，且埋入式位线是以位线侧面触点连接至主动区域。因此，主动区域之间的间距被松弛，且较大的主动区域可以被用来达到更友善的光(微影制程)过程。此外，由于动态随机存取存储器结构具有位线侧面触点与埋入式位线，因此，可减少位线寄生电容以及改善位线感测幅度。总体而言，本发明可制造出具有较佳的设计与性能的动态随机存取存储器。

附图说明

接合附图阅读以下详细说明，会最佳地理解本发明实施例的各个实施方式。应注意的是，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是根据本发明实施例的动态随机存取存储器的上视示意图。

图2A至图20是根据本发明实施例的动态随机存取存储器的制造流程图。

附图标记说明

10：动态随机存取存储器

101：基底

102：遮罩层