[发明专利]芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法

权利要求书

1.一种芯片接合薄膜，其中，对于宽度10mm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距离10mm、23℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的屈服强度为5～15N，断裂强度为4～15N，且断裂伸长率为40～400％。

2.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜，其具有40～200μm的厚度。

3.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜，其在120℃下的粘度为300～5000Pa·s。

4.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，以10～50质量％的比例含有无机填料。

5.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，以2～20质量％的比例含有有机填料。

6.根据权利要求4所述的芯片接合薄膜，其中，以2～20质量％的比例含有有机填料。

7.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，含有玻璃化转变温度为-40～10℃的丙烯酸类树脂。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的芯片接合薄膜，其用于形成粘接剂层，所述粘接剂层将引线接合安装于安装基板上的第1半导体芯片和连接于该第1半导体芯片的接合线的整体或一部分一起包埋、且将第2半导体芯片与所述安装基板接合。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的芯片接合薄膜，其用于形成粘接剂层，所述粘接剂层将引线接合安装于安装基板上的第1半导体芯片的接合线连接部位覆盖并将该接合线的一部分包埋、且将第2半导体芯片与所述第1半导体芯片接合。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的芯片接合薄膜，其用于形成粘接剂层，所述粘接剂层将倒装芯片安装于安装基板上的第1半导体芯片包埋、且将第2半导体芯片与所述安装基板接合。

11.一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带；和，

以能剥离的方式与所述切割带中的所述粘合剂层密合的、权利要求1至10中任一项所述的芯片接合薄膜。

12.一种半导体装置制造方法，其包括如下工序：

第1工序，在权利要求11记载的切割芯片接合薄膜中的所述芯片接合薄膜上贴合能单片化为多个半导体芯片的半导体晶圆、或包含多个半导体芯片的半导体晶圆分割体；和，

第2工序，通过对所述切割芯片接合薄膜中的所述切割带进行扩展，从而将所述芯片接合薄膜割断而得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片。