[发明专利]芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法

说明书

提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中实现良好的割断并抑制飞散的芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法。本发明的芯片接合薄膜(10)的、对于宽度10mm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距10mm、23℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的屈服强度为15N以下，断裂强度为15N以下，且断裂伸长率为40～400％。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造过程中能够使用的芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜、以及半导体装置制造方法。

背景技术

半导体装置的制造过程中，为了得到带有芯片接合用的尺寸与芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带有芯片接合薄膜的半导体芯片，有时使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜具有与作为加工对象的半导体晶圆对应的尺寸，例如具有：包含基材及粘合剂层的切割带；和可剥离地密合在其粘合剂层侧的芯片接合薄膜。

作为使用切割芯片接合薄膜得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片的方法之一，已知经由用于对切割芯片接合薄膜中的切割带进行扩展而将芯片接合薄膜割断的工序的方法。该方法中，首先，在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上贴合作为工件的半导体晶圆。该半导体晶圆例如以之后与芯片接合薄膜的割断一同被割断而能单片化为多个半导体芯片的方式进行了加工。接着，为了以由切割带上的芯片接合薄膜产生分别密合在半导体芯片上的多个粘接薄膜小片的方式将该芯片接合薄膜割断，使切割芯片接合薄膜的切割带扩展(割断用的扩展工序)。在该扩展工序中，在芯片接合薄膜上的半导体晶圆的与芯片接合薄膜割断位置对应的位置处也产生割断，在切割芯片接合薄膜或切割带上，半导体晶圆被单片化为多个半导体芯片。接着，在经过例如清洗工序后，各半导体芯片与和其密合的尺寸与芯片相当的芯片接合薄膜一同被拾取机构的销构件从切割带的下侧顶起，然后，从切割带上被拾取。如此，能够得到带芯片接合薄膜的半导体芯片。该带有芯片接合薄膜的半导体芯片借助其芯片接合薄膜，通过芯片接合而固定在安装基板等被粘物上。关于涉及例如像以上那样使用的切割芯片接合薄膜及其中包含的芯片接合薄膜的技术，例如记载于下述专利文献1～3中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-2173号公报

专利文献2：日本特开2010-177401号公报

专利文献3：日本特开2012-23161号公报

发明内容

发明要解决的问题

对于作为上述那样的割断用扩展工序中使用的切割芯片接合薄膜的一个构成要素的芯片接合薄膜，要求在该扩展工序中于割断预定位置被适当地割断。另外，存在芯片接合薄膜的厚度越大、越难以产生这样的割断的倾向。

上述那样的割断用扩展工序中，以往在切割芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜的没有贴合工件的区域，有时发生芯片接合薄膜片从切割带上的飞散。另外，有芯片接合薄膜的厚度越大、越容易发生该飞散的倾向。芯片接合薄膜片的这种飞散有时成为工件的污染原因，故不优选。

本发明是鉴于以上那样的情况想出的，其目的在于提供：适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中实现良好的割断并抑制飞散的芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜、以及半导体装置制造方法。

用于解决问题的方案