[发明专利]用于制造多个激光二极管的方法和激光二极管

权利要求书

1.一种用于制造多个激光二极管(1)的方法，所述方法具有如下方法步骤：

-在复合件(20)中提供多个激光棒(2)，其中所述激光棒(2)分别包括多个彼此并排设置的激光二极管元件(3)，并且所述激光二极管元件(3)具有共同的衬底(4)和各一个设置在所述衬底(4)上的半导体层序列(5)，并且其中分别在纵向分离线(y-y’)处分割所述复合件(20)，致使构成要制造的所述激光二极管(1)的激光器棱面(1C)，其中所述纵向分离线在两个相邻的激光棒(2)之间伸展，

-在至少一个纵向分离线(y-y’)处结构化所述复合件(20)，其中在所述纵向分离线(y-y’)处将应变的补偿层(8)施加到所述半导体层序列(5)上，和/或至少部分地移除所述半导体层序列(5)，

其中通过移除所述半导体层序列(5)，在要产生的所述激光器棱面(1C)的区域中制造凹处(13)，并且所述激光二极管元件(3)在第一主面(1A)处分别构成有接触区域(10)，其中所述接触区域(10)分别延伸直至所述凹处(13)中。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中将所述激光二极管元件(3)在第一主面处分别构成有接触区域(10)和联接层(9)，并且将所述接触区域(10)施加在所述联接层(9)的背离所述半导体层序列(5)的一侧上，并且两个在纵向分离线(y-y’)处直接相邻的激光二极管元件(3)的所述接触区域(10)和/或联接层(9)通过中间空间(12，17)彼此分开，或者连续地构成。

3.根据权利要求2所述的方法，

其中将所述补偿层(8)在施加所述接触区域(10)之前施加到所述联接层(9)上。

4.根据权利要求2和3中任一项所述的方法，

其中所述补偿层(8)分别伸入到两个联接层(9)之间的中间空间(17)中。

5.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述补偿层(8)由无机材料形成。

6.根据权利要求1或2所述的方法，

其中将所述补偿层(8)沿着所述纵向分离线(y-y’)条形地并且无中断地施加到所述半导体层序列(5)上。

7.根据权利要求1或2所述的方法，

其中将所述激光二极管元件(3)的所述半导体层序列(5)分别构成有脊形结构(11)。

8.根据权利要求1或2所述的方法，

其中将所述补偿层(8)在所述凹处(13)中施加到所述半导体层序列(5)上。

9.根据权利要求1或2所述的方法，

其中通过在所述纵向分离线(y-y’)和横向于所述纵向分离线(y-y’)伸展的横向分离线(x-x’)处折断所述复合件(20)，将所述复合件(20)分割成多个激光二极管(1)。

10.一种激光二极管(1)，所述激光二极管包括：

-半导体本体(7)，所述半导体本体具有衬底(4)和设置在所述衬底(4)上的半导体层序列(5)，所述半导体层序列包括适合于产生电磁辐射的有源区(6)，其中所述半导体本体(7)具有第一主面(1A)和与所述第一主面(1A)相对置的第二主面(1B)和至少一个第一和第二激光器棱面(1C)，所述激光器棱面分别横向于所述第一和第二主面(1A，1B)设置，和

-至少一个结构化的棱面区域(15)，所述棱面区域处于所述第一主面(1A)和两个所述激光器棱面(1C)中的至少一个激光器棱面之间的过渡部处，其中结构化的所述棱面区域(15)具有应变的补偿层(8)和/或凹处(13)，并且其中所述激光二极管在所述第一主面(1A)处具有接触区域(10)，所述接触区域延伸直至所述凹处(13)中。

11.根据权利要求10所述的激光二极管(1)，

所述激光二极管具有脊形结构(11)，所述脊形结构由所述补偿层(8)包覆。