[发明专利]用于制造多个激光二极管的方法和激光二极管

说明书

提出一种用于制造多个激光二极管(1)的方法，具有如下方法步骤：在复合件(20)中提供多个激光棒(2)，其中激光棒(2)分别包括多个彼此并排设置的激光二极管元件(3)，并且激光二极管元件(3)具有共同的衬底(4)和各一个设置在衬底(4)上的半导体层序列(5)，并且分别在两个相邻的激光棒之间伸展的纵向分离线(y‑y’)处分割复合件(20)，致使构成要制造的激光二极管(1)的激光器棱面(1C)；在至少一个纵向分离线(y‑y’)处结构化复合件(20)，其中在纵向分离线(y‑y’)处将应变的补偿层(8)施加到半导体层序列(5)上，和/或至少部分地移除半导体层序列。此外提出一种激光二极管(1)，所述激光二极管能借助该方法制造。

技术领域

提出一种用于制造多个激光二极管的方法。特别地，将激光二极管从多个在复合件中存在的激光棒中分割。此外，提出一种激光二极管，所述激光二极管能够借助该方法制造。

背景技术

用于分割设置在复合件中的激光棒的可行的方法是折断激光棒。在此，将复合件优选有针对性地在为激光棒使用的材料的晶体平面处折断，以便由此构成要产生的激光二极管的激光器棱面。理想地，折断面是原子级光滑的，以便具有适合于激光器运行的小的粗糙度和足够的光学反射性。

然而，激光器棱面的构成为技术上的挑战，因为不同的因素、即例如折断工艺的类型、引入的刻痕处的折断的发动以及激光棒复合件的全局的和局部的应力关系影响激光器棱面的质量。例如，在应力关系不利的情况下，在激光器棱面处能够形成晶体损伤，所述晶体损伤一方面使反射率变差并且引起较小的光产率，并且另一方面为质量风险，因为所述晶体损伤会导致自发失效。然而，激光棒复合件的基础结构变化不能够容易地执行，因为所述变化一方面能够损害折断，并且另一方面能够损坏完成的激光二极管的功能。

发明内容

本申请的目的是：提出一种用于制造多个激光二极管的改进的方法。所述目的还通过具有本发明的特征的制造方法来实现。

本申请的另一目的在于，提出一种具有改进的质量的激光二极管。所述目的通过具有本发明的特征的激光二极管来实现。

制造方法和激光二极管的有利的改进形式是下面描述的主题。

根据至少一个实施方式，用于制造多个激光二极管的方法具有如下方法步骤：

-在复合件中提供多个激光棒，其中激光棒分别包括多个彼此并排设置的激光二极管元件，并且激光二极管元件具有共同的衬底和各一个设置在衬底上的半导体层序列，并且其中分别在两个相邻的激光棒之间伸展的纵向分离线处分割复合件，引起构成要制造的激光二极管的激光器棱面，

-在至少一个纵向分离线处结构化复合件。

在此，以所提出的顺序执行上面提出的方法步骤。

在此，能够根据不同的方案进行结构化。根据第一方案，在纵向分离线处将应变的补偿层施加到半导体层序列上。补偿层能够具有压缩的或拉伸的应变。特别地，拉伸应变的补偿层施加到半导体层序列上。补偿层的应变例如能够通过适当地选择工艺参数、即例如工艺温度和/或适当地选择补偿层的化学组分来有针对性地设定。借助于有针对性应变的补偿层，能够改变净应变，这就是说分别改变在复合件中出现的应变的总和。在没有补偿层的情况下，复合件与具有补偿层的情况相比典型地具有更小的拉伸净应变。拉伸净应变尤其有利地作用于分割工艺，并且引起激光器棱面的改善的质量。

根据第二方案，将激光器二极管的半导体层序列在纵向分离线处至少部分地移除。特别地，在此，移除半导体层序列的高度应变的区域，优选高度掺杂的p型区域，使得尤其降低复合件抵抗弯曲的强度进而阻力。优选地，移除通过刻蚀工艺、如湿化学刻蚀或干刻蚀进行。

根据第三方案，在纵向分离线处至少部分地移除半导体层序列，并且将补偿层施加到半导体层序列上。即将第一和第二方案组合，其中与第一方案相比补偿层的较小的应变或与第二方案相比半导体层序列的较少的剥离就足以改进方法。