[发明专利]存储器系统和存储器模块的操作方法以及存储器控制器在审

专利信息
申请号: 201810845313.5 申请日: 2018-07-27
公开(公告)号: CN109308228A 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 边喜冲;李承勋;李善雨 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10;G06F3/06;G11C29/42
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 张帆;赵南
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 存储器控制器 存储器系统 存储器芯片 接触点 存储器模块 组管理信息 存储 错误校正码 校正存储器 数据校正 数据执行 校正数据 组管理器 算法 引擎 发送 分组 管理
【说明书】:

本发明可提供一种存储器模块、一种校正存储器模块的错误的方法和一种存储器系统。所述存储器系统包括多个存储器芯片和存储关于所述多个存储器芯片的DQ组管理信息的存储器控制器。存储器控制器可包括:错误校正码(ECC)引擎,其连接至所述多个存储器芯片中的每一个的DQ接触点,ECC引擎被构造为关于被发送至DQ接触点的数据执行数据校正算法;以及DQ组管理器,其被构造为将DQ接触点分组为对应于校正数据宽度的DQ组,并且存储用于管理DQ组的DQ组管理信息。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年7月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0095715的优先权,该申请的公开以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及存储器系统,更具体地说,涉及校正存储器模块的数据的设备和/或方法。

背景技术

随着技术的发展,半导体存储器装置的容量和速度正在增加。作为半导体存储器装置的一个示例,易失性存储器装置是这样一种存储器装置,其通过存储在电容器中的电荷来确定数据,并在其电源中断时丢失存储在其中的数据。

随着半导体存储器装置的操作速度增加,数据中更容易出现错误。为了减少或防止由于错误发生的增加而导致性能的下降,已经提出了各种校正错误的措施。

发明内容

本发明构思提供了对存储器芯片的DQ接触点进行DQ分组并且在存储器模块和/或存储器系统中实现数据校正算法的设备和/或方法。

根据示例实施例,一种存储器系统可包括:多个存储器芯片;以及存储器控制器,其被构造为存储关于所述多个存储器芯片的DQ组管理信息。所述存储器控制器可包括:错误校正码(ECC)引擎,其连接至所述多个存储器芯片中的每一个的DQ接触点,所述ECC引擎被构造为关于被发送至DQ接触点的数据执行数据校正算法;以及DQ组管理器,其被构造为将DQ接触点分组为对应于校正数据宽度的DQ组,并且存储用于管理DQ组的DQ组管理信息。

根据示例实施例,一种校正存储器系统的存储器模块中的错误的方法可包括以下步骤:将存储器模块的存储器芯片的DQ接触点分组为对应于校正数据宽度的DQ组;存储用于管理DQ组的DQ组管理信息;以及通过校正数据宽度对存储器模块执行数据校正。

根据示例实施例,一种存储器模块可包括:多个存储器芯片,它们各自包括被分组为对应于校正数据宽度的至少一个DQ组的DQ接触点;以及串行存在检测(SPD)芯片,其被构造为存储关于所述多个存储器芯片的DQ分组信息。

附图说明

通过以下结合附图进行的详细描述,将更清楚地理解本发明构思的示例实施例,其中:

图1是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器系统的示图;

图2是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器模块的突发操作的示图;

图3是示出根据本发明构思的示例实施例的执行了错误校正算法的数据结构的示图;

图4是根据本发明构思的示例实施例的执行错误校正算法的方法的流程图;

图5A至图5C是示出根据本发明构思的示例实施例的被DQ分组的DRAM芯片的图;

图6是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器模块的示图;

图7是示出根据本发明构思的示例实施例的DQ组管理器的示图;

图8是示出根据本发明构思的示例实施例的对图6的存储器模块执行错误校正算法的数据结构的示图;

图9是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器模块的示图;

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