[发明专利]电容元件、图像传感器以及电容元件的制造方法在审
| 申请号： | 201810845513.0 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109494215A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 小柳贵裕;留河优子 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/146 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第二电极 第一电极 电介质层 电容元件 图像传感器 配置 申请 制造 | ||
1.一种电容元件，其具备：
第一电极；
第二电极，该第二电极与所述第一电极相对置地配置；以及
电介质层，该电介质层位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且与所述第一电极和所述第二电极分别接触，
其中，所述电介质层含有选自氮和硅中的至少一种元素。
2.根据权利要求1所述的电容元件，其中，所述电介质层含有选自铪的氧化物和锆的氧化物中的至少一种作为主要成分。
3.根据权利要求1所述的电容元件，其中，所述电介质层为顺电体。
4.根据权利要求1所述的电容元件，其中，所述电介质层在厚度方向上的所述至少一种元素的浓度分布具有在所述电介质层内具有峰的凸形状。
5.根据权利要求1所述的电容元件，其中，所述至少一种元素在所述电介质层内从所述电介质层的与所述第一电极的第一界面分散至与所述第二电极的第二界面。
6.根据权利要求1所述的电容元件，其中，所述电介质层中的所述至少一种元素的元素比为0.8原子％～25原子％。
7.根据权利要求1所述的电容元件，其中，所述第一电极和所述第二电极分别包含氮化金属膜。
8.一种图像传感器，其具备光电转换元件和电容元件，
其中，所述电容元件包含：
第一电极；
第二电极，该第二电极与所述第一电极相对置地配置；以及
电介质层，该电介质层位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且与所述第一电极和所述第二电极分别接触，
所述电介质层含有选自氮和硅中的至少一种元素。
9.一种电容元件的制造方法，其包括下述工序：
形成第一电极的工序；
在所述第一电极上形成电介质层的工序；
向所述电介质层添加选自氮和硅中的至少一种元素的工序；以及
在所述电介质层上形成第二电极的工序。
10.根据权利要求9所述的电容元件的制造方法，其中，所述添加至少一种元素的工序使用离子注入法来进行。
11.根据权利要求9所述的电容元件的制造方法，其中，所述电介质层含有选自铪的氧化物和锆的氧化物中的至少一种作为主要成分。
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