[发明专利]电容元件、图像传感器以及电容元件的制造方法在审

申请号：	201810845513.0	申请日：	2018-07-27
公开（公告）号：	CN109494215A	公开（公告）日：	2019-03-19
发明（设计）人：	小柳贵裕;留河优子	申请（专利权）人：	松下知识产权经营株式会社
主分类号：	H01L23/64	分类号：	H01L23/64;H01L27/146
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	陈建全
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	第二电极第一电极电介质层电容元件图像传感器配置申请制造
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【说明书】：

本申请的一个方案的电容元件具备：第一电极；第二电极，该第二电极与所述第一电极相对置地配置；以及电介质层，该电介质层位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且与所述第一电极和所述第二电极分别接触。所述电介质层含有选自氮和硅中的至少一种元素。

技术领域

本申请涉及电容元件、图像传感器以及电容元件的制造方法。

背景技术

以往，为了提高半导体集成电路的集成度，对提高半导体集成电路所具备的电容元件的每单位面积的容量密度进行了研究。作为提高容量密度的手段之一，对使用介电常数高的材料来形成电容元件的绝缘膜进行了研究。例如，Soon-Wook Kim,“Effects ofelectrical stress on the leakage current characteristics of multilayercapacitor structures”,Appl.Phys.Lett.96,262904,2010(以下称为非专利文献1)和T.S.Boscke,“Ferroelectricity in Hafnium Oxide：CMOS compatible FerroelectricField Effect Transistors”IEEE,IEDM,11,547-550,2011公开了一种电容元件，该电容元件具备使用介电常数高于以往常用的二氧化硅(SiO₂)的氧化铪(HfO₂)形成的绝缘膜。

发明内容

本申请的非限定的一个示例性方案的电容元件具备：第一电极；第二电极，该第二电极与上述第一电极相对置地配置；以及电介质层，该电介质层位于上述第一电极与上述第二电极之间，并且与上述第一电极和上述第二电极分别接触。上述电介质层含有选自氮和硅中的至少一种元素。

附图说明

图1是表示实施方式的电容元件的截面结构的一个例子的剖视图。

图2是表示实施方式的电容元件的截面结构的另一个例子的剖视图。

图3是表示实施方式的电容元件的截面结构的另一个例子的剖视图。

图4是表示实施方式的电容元件的截面结构的另一个例子的剖视图。

图5是表示实施方式的电容元件的截面结构的另一个例子的剖视图。

图6A是表示实施方式的电容元件的制造方法的一个工序的剖视图。

图6B是表示实施方式的电容元件的制造方法的一个工序的剖视图。

图6C是表示实施方式的电容元件的制造方法的一个工序的剖视图。

图6D是表示实施方式的电容元件的制造方法的一个工序的剖视图。