[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

晶体管，设置在衬底的第一区上，所述晶体管包括：

源极/漏极区；

多个沟道层，在分别连接所述源极/漏极区的同时，所述多个沟道层在与所述衬底的上表面垂直的方向上彼此间隔开；

栅极电极，环绕所述多个沟道层中的每一者；以及

栅极绝缘体，位于所述栅极电极与所述多个沟道层之间；以及

非有源组件，设置在所述衬底的第二区上，所述非有源组件包括：

鳍结构，包括交替地堆叠的多个第一半导体图案与多个第二半导体图案，

外延区，邻近所述鳍结构；

非有源电极，与所述鳍结构相交；以及

阻挡绝缘膜，位于所述非有源电极与所述鳍结构之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述阻挡绝缘膜包含氮化硅或氮氧化硅。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述阻挡绝缘膜包括第一膜及第二膜，所述第一膜包含氧化硅，所述第二膜及包含氮化硅。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个第二半导体图案分别与所述多个沟道层中的相应沟道层位于相同的水平高度处。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个第二半导体图案与所述多个沟道层包含相同的半导体材料。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述非有源电极与所述栅极电极包含相同的电极材料。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个第一半导体图案与所述外延区包含相同的半导体材料。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述外延区包括与所述源极/漏极区相同的半导体外延部分。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述外延区包含硅锗。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述衬底的所述第一区包括N阱，

所述衬底的所述第二区包括P阱，且

所述晶体管是P沟道金属氧化物半导体晶体管。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

接触塞，连接到所述外延区。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述非有源组件是双极晶体管的一部分或供电抽头。

13.一种半导体装置，其特征在于，包括：

晶体管，位于衬底的第一区上，所述晶体管包括：

源极/漏极区，在第一方向上排列；

多个沟道层，在与所述衬底的上表面垂直的方向上排列，且所述多个沟道层在连接所述源极/漏极区的同时彼此间隔开；

栅极电极，在环绕所述多个沟道层的同时，所述栅极电极在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；以及

栅极绝缘体，位于所述栅极电极与所述多个沟道层之间；

非有源组件，位于所述衬底的第二区上，所述非有源组件包括：

鳍结构，包括交替地堆叠的多个第一半导体图案与多个第二半导体图案；

外延区，设置在所述第一方向上且邻近所述鳍结构；

非有源电极，在与所述鳍结构相交的同时，所述非有源电极在所述第二方向上延伸；以及

阻挡绝缘膜，位于所述非有源电极与所述鳍结构之间，所述阻挡绝缘膜是由与所述第一半导体图案的材料不同的材料形成；以及

多个接触塞，连接到所述源极/漏极区及所述外延区。