[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置包括设置在衬底的第一区上的晶体管以及设置在衬底的第二区上的非有源组件，晶体管包括：源极/漏极区；多个沟道层，在分别连接源极/漏极区的同时在与衬底的上表面垂直的方向上彼此间隔开；栅极电极，环绕多个沟道层中的每一者；以及栅极绝缘体，位于栅极电极与多个沟道层之间。非有源组件包括：鳍结构，包括交替地堆叠的多个第一半导体图案与多个第二半导体图案；外延区，邻近鳍结构；非有源电极，与鳍结构相交；以及阻挡绝缘膜，位于非有源电极与鳍结构之间。本公开的半导体装置可以高速度运行，同时可考虑在操作方面具有高度准确性以及对半导体装置中所包括的晶体管的结构进行优化。

[相关申请的交叉参考]

在2017年10月18日在韩国知识产权局提出申请且名称为：“半导体 装置(Semiconductor Device)”的韩国专利申请第10-2017-0135333号全文 并入本申请供参考。

技术领域

本发明的实施例涉及一种半导体装置。

背景技术

近年来，半导体装置的按比例缩小(downscaling)进展迅速。

发明内容

本发明的实施例可通过提供一种半导体装置来实现，所述半导体装置 包括设置在衬底的第一区上的晶体管以及设置在所述衬底的第二区上的非 有源组件。所述晶体管包括：源极/漏极区；多个沟道层，在分别连接所述 源极/漏极区的同时在与所述衬底的上表面垂直的方向上彼此间隔开；栅极 电极，环绕所述多个沟道层中的每一者；以及栅极绝缘体，位于所述栅极 电极与所述多个沟道层之间。所述非有源组件包括：鳍结构，包括交替地 堆叠的多个第一半导体图案与多个第二半导体图案；外延区，邻近所述鳍 结构；非有源电极，与所述鳍结构相交；以及阻挡绝缘膜，位于所述非有 源电极与所述鳍结构之间。

本发明的实施例可通过提供一种半导体装置来实现，所述半导体装置 包括位于衬底的第一区上的晶体管以及位于所述衬底的第二区上的非有源 组件。所述晶体管包括：源极/漏极区，在第一方向上排列；多个沟道层， 在与所述衬底的上表面垂直的方向上排列，且所述多个沟道层在连接所述 源极/漏极区的同时彼此间隔开；栅极电极，在环绕所述多个沟道层的同时， 所述栅极电极在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；以及栅极绝缘体， 位于所述栅极电极与所述多个沟道层之间。所述非有源组件包括：鳍结构， 包括交替地堆叠的多个第一半导体图案与多个第二半导体图案；外延区， 设置在所述第一方向上且邻近所述鳍结构；非有源电极，在与所述鳍结构 相交的同时，所述非有源电极在所述第二方向上延伸；以及阻挡绝缘膜， 位于所述非有源电极与所述鳍结构之间，所述阻挡绝缘膜是由与所述第一 半导体图案的材料不同的材料形成；以及多个接触塞，连接到所述源极/漏 极区及所述外延区。

本发明的实施例可通过提供一种半导体装置来实现，所述半导体装置 包括位于衬底的第一导电阱上的第一晶体管、位于所述衬底的第二导电阱 上的第二晶体管以及位于所述衬底的所述第二导电阱上的非有源组件。所 述第一晶体管包括：第一源极/漏极区，多个第一沟道层，在分别连接所述 第一源极/漏极区的同时，所述多个第一沟道层在与所述衬底的上表面垂直 的方向上彼此间隔开；第一栅极电极，环绕所述多个第一沟道层中的每一 者；以及第一栅极绝缘体，位于所述第一栅极电极与所述多个第一沟道层 之间。所述第二晶体管包括：第二源极/漏极区；多个第二沟道层，在分别 连接所述第二源极/漏极区的同时，所述多个第二沟道层在与所述衬底的所 述上表面垂直的所述方向上彼此间隔开；第二栅极电极，环绕所述多个第 二沟道层中的每一者；以及第二栅极绝缘体，位于所述第二栅极电极与所 述多个第二沟道层之间。所述非有源组件包括：鳍结构，包括交替地堆叠的多个第一半导体图案与多个第二半导体图案；外延区，邻近所述鳍结构； 非有源电极，设置为与所述鳍结构相交；以及阻挡绝缘膜，位于所述非有 源电极与所述鳍结构之间，所述阻挡绝缘膜是由与所述第一半导体图案的 材料不同的材料形成。

附图说明