[发明专利]电子组件和用于制造电子组件的方法有效

专利信息
申请号: 201810846573.4 申请日: 2018-07-27
公开(公告)号: CN109309083B 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 托马斯·施瓦茨;斯特凡·格勒奇;约尔格·埃里克·索格;克里斯托夫·克勒尔 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/367;H01L23/498;H01L23/60;H01L21/60
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 丁永凡;张春水
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子 组件 用于 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电子组件(1),所述电子组件具有:

- 载体(10),所述载体包括第一无机绝缘层(101)和第二无机绝缘层(102),在所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层之间设置有刚好一个金属芯(105),

- 第一导电结构(201)、第二导电结构(202)和第三导电结构(203),所述第一导电结构、第二导电结构和第三导电结构设置在所述载体(10)的顶面(10a)上,

- 第一电接触部位(301)和第二电接触部位(302)和热接触部位(303),所述第一电接触部位和所述第二电接触部位和所述热接触部位设置在所述载体(10)的底面(10b)上,并且所述热接触部位(303)具有比所述第一电接触部位(301)和所述第二电接触部位(302)更大的向外露出的面,

- 器件(50)和电保护元件(60),所述器件和所述电保护元件设置在所述载体的所述顶面(10a)的侧上,其中

- 所述第一导电结构(201)与所述第一电接触部位(301)导电地连接,

- 所述第二导电结构(202)与所述第二电接触部位(302)导电地连接,

- 所述第三导电结构(203)与所述热接触部位(303)导电地连接,

- 所述器件(50)与所述第一导电结构(201)和所述第二导电结构(202)导电地连接,

- 所述电保护元件(60)与所述第三导电结构(203)和所述第一导电结构(201)或所述第二导电结构(202)导电地连接,

- 所述第一导电结构(201)借助于第一过孔(401)导电地与所述第一电接触部位(301)连接,所述第二导电结构(202)借助于第二过孔(402)导电地与所述第二电接触部位(302)连接,并且所述第三导电结构(203)借助于第三过孔(403)导电地与所述热接触部位(303)连接,和

- 所述第一过孔(401)、所述第二过孔(402)和所述第三过孔(403)完全地从所述载体(10)的所述顶面(10a)穿过所述金属芯(105)延伸至所述底面(10b)。

2.根据权利要求1所述的电子组件(1),其中

- 所述器件(50)不能够经由所述热接触部位(303)运行。

3.根据上述权利要求中任一项所述的电子组件(1),其中

- 所述电保护元件(60)将所述热接触部位(303)和所述第一导电结构(201)或所述第二导电结构(202)之间的电压(U)限制于最大值。

4.根据权利要求1所述的电子组件(1),

其中所述第一无机绝缘层(101)和所述第二无机绝缘层(102)借助所述金属芯(105)的材料的氧化物形成。

5.根据权利要求1所述的电子组件(1),

其中所述热接触部位(303)和所述电保护元件(60)借助于所述金属芯(105)彼此导电地连接。

6.根据权利要求1所述的电子组件(1),

其中所述热接触部位(303)和所述电保护元件(60)沿竖直方向不彼此叠加地设置。

7.根据权利要求1所述的电子组件(1),

其中所述电保护元件(60)和所述器件(50)是共同的半导体器件(5)的一部分。

8.根据权利要求1所述的电子组件(1),

其中所述电保护元件(60)借助两个反串联地互联的齐纳二极管(600)形成。

9.根据权利要求1所述的电子组件(1),

其中所述电保护元件(60)借助两个反并联地互联的二极管形成。

10.根据权利要求1所述的电子组件(1),

其中所述电保护元件(60)借助压敏电阻形成。

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