[发明专利]一种获取器件中子单粒子效应截面的方法及装置

权利要求书

1.一种获取器件中子单粒子效应截面的方法，其特征在于，包括：

确定待测器件的类别；

根据所述类别对应的中子单粒子效应NSEE截面公式，获取所述待测器件的NSEE截面；

其中，所述NSEE截面公式根据样本器件的NSEE截面历史数据拟合得到；

所述确定待测器件的类别，之前还包括：

将所有器件分为若干个类别，其中，所述若干个类别包括：

信号类处理器、DRAM存储器、SRAM存储器、Flash存储器、FPGA器件、线性器件、AD/DA器件和功率器件中的一种或多种；

所述NSEE截面包括：

单粒子翻转SEU截面、单粒子闩锁SEL截面、单粒子功能中止SEFI截面、单粒子瞬态SET截面和单粒子烧毁SEB截面中的一种或多种；相应地，

所述NSEE截面公式包括：

SEU截面公式、SEL截面公式、SEFI截面公式、SET截面公式和SEB截面公式中的一种或多种；

所述根据所述类别对应的中子单粒子效应NSEE截面公式，获取所述待测器件的NSEE截面，进一步包括：

若所述待测器件的类别为信号类处理器、DRAM存储器、SRAM存储器和FPGA存储器中的任一种，则分别根据类别对应的SEU截面公式、SEL截面公式和SEFI截面公式，获取所述待测器件的SEU截面、SEL截面和SEFI截面；

若所述待测器件的类别为FLASH存储器，则分别根据所述FLASH存储器对应的SEU截面公式和SEL截面公式，获取所述待测器件的SEU截面和SEL截面；

若所述待测器件的类别为线性器件，则分别根据所述线性器件对应的SET截面公式，获取所述待测器件的SET截面；

若所述待测器件的类别为AD/DA器件，则分别根据所述AD/DA器件对应的SEU截面公式、SEL截面公式和SET截面公式，获取所述待测器件的SEU截面、SEL截面和SET截面；

若所述待测器件的类别为功率器件，则分别根据所述功率器件对应的SEB截面公式，获取所述待测器件的SEB截面。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取所述待测器件的SEL截面，之前还包括：

若所述待测器件的重离子单粒子效应试验的SEL能量阈值大于15MeV·cm²/mg，则确定所述待测器件的SEL截面为零。