[发明专利]一种获取器件中子单粒子效应截面的方法及装置

说明书

本发明实施例提供一种获取器件中子单粒子效应截面的方法及装置。方法包括：确定待测器件的类别；根据所述类别对应的中子单粒子效应NSEE截面公式，获取所述待测器件的NSEE截面；其中，所述NSEE截面公式根据样本器件的NSEE截面历史数据拟合得到。本发明实施例提供的方法及装置，不依托于试验数据，仅通过分析样本器件的历史数据，按样本器件的种类进行分类分析，拟合出每一类样本器件的NSEE截面公式，根据待测器件的类别，使用对应的NSEE截面公式，获取待测器件的NSEE截面。具有输入参数少、易于实现的特点，便于工程应用。能够快速获得器件的NSEE截面，有效减少航空电子产品的设计周期，提高其大气中子辐射环境下的可靠性。

技术领域

本发明实施例涉及微电子技术领域，尤其涉及一种获取器件中子单粒子效应截面的方法及装置。

背景技术

航空应用的电子元器件在任务过程中会受到大气中子的辐射影响而产生中子单粒子效应(以下简称NSEE)，为了保证产品的可靠性，在器件选型和产品设计过程中需要掌握器件的NSEE敏感特性，即NSEE截面。一般获取器件NSEE截面主要是以下两种方法：

(1)针对待评估器件开展专门的NSEE试验直接获得相应的截面数据。

(2)针对待评估器件的微观结构进行3D建模，通过对中子入射产生NSEE的过程进行仿真，预估获得相应器件的截面。

以上的两种获取器件NSEE截面的方法都有着一定的局限性：

(1)NSEE试验的方法获得的截面数据最为直观准确，但是所得数据仅代表受试器件的NSEE敏感特性。数据的推广使用较为困难，且试验成本较高，不利于工程应用。

(2)仿真建模的方法适用于所有器件，但是操作复杂，且结果的准确性容易受参数选择的影响，在工程应用中较难实现。

发明内容

本发明实施例提供一种获取器件中子单粒子效应截面的方法及装置，用以解决现有技术中获取器件NSEE截面的成本高且操作复杂的缺陷，降低了成本和操作复杂度，可快速获取NSEE截面。

本发明实施例提供一种获取器件中子单粒子效应截面的方法，包括：

确定待测器件的类别；

根据所述类别对应的中子单粒子效应NSEE截面公式，获取所述待测器件的NSEE截面；

其中，所述NSEE截面公式根据样本器件的NSEE截面历史数据拟合得到。

本发明实施例提供一种获取器件中子单粒子效应截面的装置，包括：

类别确定模块，用于确定待测器件的类别；

NSEE截面获取模块，用于根据所述类别对应的中子单粒子效应NSEE截面公式，获取所述待测器件的NSEE截面；

其中，所述NSEE截面公式根据样本器件的NSEE截面历史数据拟合得到。

本发明实施例提供一种电子设备，包括存储器和处理器，所述处理器和所述存储器通过总线完成相互间的通信；所述存储器存储有可被所述处理器执行的程序指令，所述处理器调用所述程序指令能够执行上述的方法。

本发明实施例提供一种非暂态计算机可读存储介质，所述非暂态计算机可读存储介质存储计算机指令，所述计算机指令使所述计算机执行上述的方法。

本发明实施例提供的一种获取器件中子单粒子效应截面的方法及装置，不依托于试验数据，仅通过分析样本器件的历史数据，按样本器件的种类进行分类分析，拟合出每一类样本器件的NSEE截面公式，根据待测器件的类别，使用对应的NSEE截面公式，获取待测器件的NSEE截面。具有输入参数少、易于实现的特点，便于工程应用。能够快速获得器件的NSEE截面，有效减少航空电子产品的设计周期，提高其大气中子辐射环境下的可靠性。