[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

基础部件；

第1积层体，包含交替积层在与所述基础部件的表面交叉的第1方向的第1半导体芯片与第2半导体芯片；及

第2积层体，在沿所述基础部件的所述表面的第2方向与所述第1积层体排列配置，且包含交替积层在所述第1方向的其他第1半导体芯片与其他第2半导体芯片；且

所述第1积层体包含与所述基础部件连接的最下层的第1半导体芯片，

所述第2积层体包含与所述基础部件连接的最下层的第2半导体芯片。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1半导体芯片及所述第2半导体芯片分别具有半导体基板、及设置在所述半导体基板上的功能层，

所述第1积层体及所述第2积层体包含：第1接合部，使所述第1半导体芯片的功能层与所述第2半导体芯片的功能层对向接合；及第2接合部，使所述第1半导体芯片的半导体基板与所述第2半导体芯片的半导体基板对向接合。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第1半导体芯片及所述第2半导体芯片分别具有：接合焊垫，设置在所述功能层上；及连接焊垫，设置在所述半导体基板的与所述功能层为相反侧的背面侧；且

所述第1接合部包含将所述第1半导体芯片的接合焊垫与所述第2半导体芯片的接合焊垫直接连接的部分，

所述第2接合部包含将所述第1半导体芯片的连接焊垫与所述第2半导体芯片的连接焊垫经由连接部件连接的部分。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其进而具备与所述第1积层体及所述第2积层体电性连接的第3半导体芯片，

所述第3半导体芯片具有指令端子与数据端子，

所述第1积层体及所述第2积层体分别具有与所述指令端子连接的第1端子、及与所述数据端子连接的第2端子，

所述第1积层体的第1端子与所述第2积层体的第1端子在所述第2方向上排列配置，

所述第1积层体的第2端子与所述第2积层体的第2端子在所述第2方向上排列配置。

5.一种半导体装置的制造方法，其形成具有第1面及与所述第1面为相反侧的第2面的第1晶片，该第1面包含第1功能层、及与所述第1功能层交替排列配置的第2功能层，

形成具有第1面、及与所述第1面为相反侧的第2面，且具有配置在所述第2面上的多个连接部件的第2晶片，该第1面包含第1功能层、及与所述第1功能层交替排列配置的第2功能层，

形成晶片接合体，该晶片接合体是以将所述第1晶片的第1功能层与所述第2晶片的第2功能层接合，且将所述第1晶片的第2功能层与所述第1晶片的第1功能层接合的方式，贴合所述第1晶片的第1面与所述第2晶片的第1面而成，

将所述晶片接合体分割为多个第1积层芯片与多个第2积层芯片，这些第1积层芯片分别包含所述第1晶片的第1功能层、及与所述第1晶片的第1功能层接合的所述第2晶片的第2功能层，这些第2积层芯片分别包含所述第2晶片的第1功能层、及与所述第2晶片的第1功能层接合的所述第1晶片的第2功能层。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中所述第1积层芯片及所述第2积层芯片具有作为所述第1晶片的一部分的第1基板、及作为所述第2晶片的一部分的第2基板，

所述多个连接部件以所述第1积层芯片及所述第2积层芯片的各者在与所述第1功能层或者所述第2功能层为相反侧的所述第2基板的背面侧具有所述多个连接导体的一部分的方式配置。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置的制造方法，其中将包含多个所述第1积层芯片的第1积层体、及包含多个所述第2积层芯片的第2积层体形成在基础部件上。