[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201810847611.8 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109003990B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 谭莉;李小虎;王听海;姜炜 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201100 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
在所述基板上形成第一金属层,图案化所述第一金属层形成第一栅极金属和第二栅极金属;
在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧形成有源层和欧姆接触层;
图案化所述有源层和所述欧姆接触层形成第一有源层和第二有源层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层,在第一方向上,所述第一栅极金属、所述第一有源层和所述第一欧姆接触层依次堆叠,所述第二栅极金属、所述第二有源层和所述第二欧姆接触层依次堆叠,所述第一方向为垂直于所述基板的方向;
在所述欧姆接触层远离所述基板的一侧形成第一透明导电层;
图案化所述第一透明导电层形成像素电极和保护层,所述保护层位于所述第一欧姆接触层远离所述基板的一侧;
在所述第一透明导电层远离所述基板的一侧形成第二金属层;
图案化所述第二金属层形成第一源极金属、第一漏极金属、第二源极金属和第二漏极金属,在平行于所述基板的方向上,所述保护层位于所述第一源极金属和所述第一漏极金属之间,且所述第二欧姆接触层位于所述第二源极金属和所述第二漏极金属之间,所述像素电极和所述第二源极金属或所述第二漏极金属电连接;
图案化所述第二欧姆接触层,暴露出所述第二有源层;
在所述第二金属层远离所述基板的一侧形成第二绝缘层;
图案化所述第二绝缘层形成第一过孔和第一镂空部,所述第一过孔暴露出所述第一源极金属和所述第一漏极金属,所述第一镂空部暴露出所述第一透明导电层;
在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧形成第二透明导电层,所述第二透明导电层通过所述第一过孔和所述第一源极金属和所述第一漏极金属电连接;
图案化所述第二透明导电层至少形成公共电极、和与所述第一源极金属和所述第一漏极金属电连接的连接端,同时图案化所述保护层;
所述第一栅极金属、所述第一有源层、所述第一欧姆接触层、所述第一源极金属和所述第一漏极金属形成压力传感器的至少部分结构,所述第二栅极金属、所述第二有源层、所述第二源极金属和所述第二漏极金属形成开关组件的至少部分结构。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,
图案化所述有源层和所述欧姆接触层形成第一有源层和第二有源层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层,包括:
通过高阶光罩在所述欧姆接触层远离所述基板的一侧形成光阻,在所述第一方向上,所述光阻和所述第一栅极金属、所述第二栅极金属至少部分重叠;
图案化所述有源层和所述欧姆接触层,形成第一有源层和第二有源层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层;
灰化剥离所述光阻。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,
所述光阻包括第一光阻和第二光阻,在所述第一方向上,所述第一光阻和所述第一栅极金属至少部分重叠,所述第二光阻和所述第二栅极金属至少部分重叠,所述第一光阻沿所述第一方向上的长度为d1,所述第二光阻沿所述第一方向上的长度为d2,其中,d1>d2>0;
灰化剥离所述光阻,包括:
完全灰化剥离所述第二光阻,部分灰化剥离所述第一光阻;
图案化所述第二欧姆接触层,使得所述第二欧姆接触层沿所述第一方向上的长度为D1,所述第一欧姆接触层沿所述第一方向上的长度为D2,其中,D2>D1>0;
完全灰化剥离剩余的所述第一光阻。
4.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,
5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,
图案化所述第二金属层还形成触控线;
图案化所述第二绝缘层还形成第二过孔,所述第二过孔暴露出所述触控线;
所述第二透明导电层通过所述第二过孔和所述触控线电连接。
6.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,
图案化所述第二欧姆接触层,暴露出所述第二有源层,至少部分所述第二欧姆接触层位于所述第二源极金属与所述第二有源层之间、和所述第二漏极金属与所述第二有源层之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的