[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201810847611.8 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109003990B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 谭莉;李小虎;王听海;姜炜 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201100 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置,包括:提供一基板;图案化形成第一栅极金属和第二栅极金属;形成栅极绝缘层;图案化有源层和欧姆接触层形成第一有源层和第二有源层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层;图案化第一透明导电层形成像素电极和保护层;形成第二金属层;图案化第二金属层形成第一源极金属、第一漏极金属、第二源极金属和第二漏极金属;图案化第二欧姆接触层,暴露出第二有源层;图案化第二绝缘层形成第一过孔和第一镂空部;图案化第二透明导电层至少形成公共电极、和连接端,同时图案化保护层。压力传感器和开关组件可以同时使用非晶硅工艺制造,压力传感器中保留第一欧姆接触层。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置。
背景技术
目前,带有触控功能的显示面板作为一种信息输入工具被广泛应用于各种电子设备,例如,公共场所大厅的信息查询机,用户在日常生活工作中使用的电脑、手机等。为了更好的满足用户需求,通常在触控显示屏中设置有用于检测用户在触摸触控显示屏过程中触控压力的压力传感器,一般压力传感器外挂于普通触控屏中。
而更为轻薄的产品所采用的内嵌式压力传感技术是将压力传感器集成在触控面板内部,一般由低温多晶硅(LTPS)工艺实现,在非晶硅(a-Si)工艺上尚未实施。主要原因是LTPS可通过激光退火、离子注入等工艺,形成合适阻值的电阻,组成桥式电路压力传感器嵌入面板边框区;而低温多晶硅(LTPS)工艺制作工艺较为繁琐。
阵列基板中一般包括多个薄膜晶体管,为了减少显示面板的制作成本,薄膜晶体管和压力传感器采用非晶硅工艺同时制作。现有的非晶硅工艺过程中存在沟道刻蚀工艺,将薄膜晶体管中欧姆接触层未与源漏极重叠的部分刻蚀掉,欧姆接触层可降低压力传感器中电阻,如果压力传感器中欧姆接触层未与源漏极重叠的部分也刻蚀掉的话,压力传感器的电阻过大,导致无法稳定测试、实现压力传感器的压力触控功能。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置。
本发明提供了一种阵列基板的制造方法,包括:提供一基板;在基板上形成第一金属层,图案化第一金属层形成第一栅极金属和第二栅极金属;在第一金属层远离基板的一侧形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层远离基板的一侧形成有源层和欧姆接触层;图案化有源层和欧姆接触层形成第一有源层和第二有源层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层,在第一方向上,第一栅极金属、第一有源层和第一欧姆接触层依次堆叠,第二栅极金属、第二有源层和第二欧姆接触层依次堆叠,第一方向为垂直于基板的方向;在欧姆接触层远离基板的一侧形成第一透明导电层;图案化第一透明导电层形成像素电极和保护层,保护层位于第一欧姆接触层远离基板的一侧;在第一透明导电层远离基板的一侧形成第二金属层;图案化第二金属层形成第一源极金属、第一漏极金属、第二源极金属和第二漏极金属,在平行于基板的方向上,保护层位于第一源极金属和第一漏极金属之间,且第二欧姆接触层位于第二源极金属和第二漏极金属之间,像素电极和第二源极金属或第二漏极金属电连接;图案化第二欧姆接触层,暴露出第二有源层;在第二金属层远离基板的一侧形成第二绝缘层;图案化第二绝缘层形成第一过孔和第一镂空部,第一过孔暴露出第一源极金属和第一漏极金属,第一镂空部暴露出第一透明导电层;在第二绝缘层远离基板的一侧形成第二透明导电层,第二透明导电层通过第一过孔和第一源极金属和第一漏极金属电连接;图案化第二透明导电层至少形成公共电极、和与第一源极金属和第一漏极金属电连接的连接端,同时图案化保护层;第一栅极金属、第一有源层、第一欧姆接触层、第一源极金属和第一漏极金属形成压力传感器的至少部分结构,第二栅极金属、第二有源层、第二源极金属和第二漏极金属形成开关组件的至少部分结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的