[发明专利]泵装置、处理液供给装置、基板处理装置、排液方法以及液体置换方法有效
申请号: | 201810853549.3 | 申请日: | 2018-07-30 |
公开(公告)号: | CN109427620B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 西村淳树;小椋浩之;柏山真人;门间徹;桐田将司;佐川荣寿;吉田省吾 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 处理 供给 方法 以及 液体 置换 | ||
在腔室上形成有与积存部连通的至少三个开口、即第一开口、第二开口、第三开口。第二开口位于比第一开口高的位置。第三开口用于:通过从第一开口向积存部内导入气体,或者,通过从第三开口以外的两个开口中的至少任一个开口向积存部内导入气体,来排出积存部内的液体。第三开口在三个开口中位于最低的位置,因此,能够容易地排出容纳于积存部的液体。
技术领域
本发明涉及用于向半导体基板、液晶显示器用玻璃基板、光掩膜用玻璃基板、光盘用基板等基板供给处理液的泵装置、处理液供给装置以及基板处理装置和这些装置的排液方法以及液体置换方法。
背景技术
基板处理装置具有:保持旋转部,将基板保持为水平姿势并使被保持的基板旋转;喷嘴,用于向被保持旋转部保持的基板上喷出处理液;泵装置,向喷嘴输送处理液。
泵装置具有:腔室,具有容纳处理液的积存部;驱动机构,使可动构件位移,以使积存部的容积变化(例如,参照日本特开2009-049228号公报)。在腔室的下部设置有入口,在腔室的上部设置有出口。即,使处理液从腔室下部的入口流入,从腔室上部的出口流出。这是由于,将混入处理液中的气泡(空气)聚集在腔室上部,在输送处理液时能够可靠地排出气泡。
另外,在日本特开2013-100825号公报中公开了多级泵,该多级泵具有第一级泵、过滤器、以及第二级泵。第一级泵构成为通过过滤器向第二级泵输送液体。另外,第二级泵具有用于排出液体的清除阀,通过清除阀排出的液体返回至第一级泵。
发明内容
然而,以往的装置存在如下问题。有时难以从泵装置的腔室内排出处理液等液体。例如,在泵装置、处理液供给装置以及基板处理装置中基板搬出的情况下,在洗净腔室内部后,排出腔室内的液体。对于从该腔室内排出液体的操作来说,难以排出液体且花费时间。例如,使气体从上述的腔室下部的入口流入,使液体从腔室上部的出口流出。在该情况下,与液体相比,气体更快地到达腔室上部的出口,从而会在腔室上部占据空间,因此,液体不会从腔室内很好地排出。此外,若液体(例如光致抗蚀液)残留于腔室内,则会变成污染物质。
本发明基于这样的事情而提出,其目的在于,提供一种能够容易地排出腔室内的液体的泵装置、处理液供给装置、基板处理装置、排液方法以及液体置换方法。
本发明为了达到这样的目的,采用如下结构。即,本发明的泵装置,用于输送液体,其中,该泵装置包括:腔室,具有容纳液体的作为内部空间的积存部和与所述积存部相接的可动构件,通过所述可动构件位移,使得所述积存部的容积变化;驱动部,使所述可动构件位移,所述腔室形成有与所述积存部连通的至少三个开口、即第一开口、第二开口、第三开口。所述第二开口位于比所述第一开口高的位置,所述第三开口在所述三个开口中位于最低的位置;所述三个开口中的任意两个开口用于:通过与所述可动构件的位移联动地控制液体的流通,向所述积存部内吸引液体和从所述积存部送出液体的通常的送液;所述第三开口用于:通过从其他两个开口中的至少任一个开口向所述积存部内导入气体,排出所述积存部内的液体。
根据本发明的泵装置,在腔室上形成有与积存部连通的至少三个开口,即第一开口、第二开口、第三开口。第二开口位于比第一开口高的位置。第三开口用于:通过从第三开口以外的两个开口中的至少任一个开口向积存部内导入气体,排出积存部内的液体。第三开口在三个开口中位于最低的位置,因此,能够容易地排出容纳于积存部的液体。
另外,在上述的泵装置中,优选地,所述第三开口设置于所述积存部的底部。由于第三开口设置于积存部的底部,因此,能够更加容易地排出容纳于积存部的液体。
另外,上述的泵装置的一例为,所述第一开口和所述第三开口设置于相同高度的位置。由此,例如,能够使分别与第一开口和第三开口连接的配管相反地连接。即,也能够从第三开口向积存部内导入气体,从第一开口排出积存部内的处理液。由此,能够简单地进行配管的连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造