[发明专利]光源模块以及光源模块的制造方法

说明书

本发明涉及一种光源模块以及光源模块的制造方法，包括以下步骤：设置发光二极管芯片于承载基板上，且电性连接发光二极管芯片以及承载基板、设置保护胶于发光二极管芯片以及承载基板上、以及裁切承载基板而形成一光源模块。本发明方法不需利用承载体，所以可省略现有技术的移除承载体操作以及接合工艺，因此，本发明方法可提升光源模块的制造品质。

技术领域

本发明涉及一种光源模块，尤其涉及高发光效率的光源模块以及其光源模块的制造方法。

背景技术

常见的光源利用发光二极管(Light Emitting Diode，LED)来产生光束，其发光原理为，于III-V族半导体材料，例如：氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)以及磷化铟(InP)等材料上施加电流，利用电子与电洞的互相结合，使多余的能量于多层量子阱(Multiple Quantum Well，MQW)处以光子的形式释放出来，成为我们眼中所见的光线。

接下来说明传统发光二极管芯片的结构。请参阅图1，其为传统发光二极管芯片的结构剖面示意图。图1中显示出传统发光二极管芯片1为多层堆叠的结构，其包括基板11、P极披覆层12、多层量子阱13、N极披覆层14、导电薄膜层(ITO)15、分别设置于发光二极管芯片1的上表面上的具有P极接点16以及N极接点17，而P极接点16以及N极接点17可供进行打线程序(此将于稍后说明)，而多层量子阱13设置于该多层堆叠的结构之中。由于前述已提到发光二极管芯片1由多层量子阱13出光，因此从多层量子阱13向上方输出的光束势必被位于多层量子阱13上方的P极披覆层12、导电薄膜层15、P极接点16以及N极接点17所遮挡而耗损，进而显著影响整体向上出光的发光效率。换句话说，传统发光二极管芯片1的整体发光亮度大部分只能依赖从多层量子阱13向侧边出光的光线部分，导致发光效率不佳。因此，传统发光二极管芯片1的发光效率仍有改善的空间。

请参阅图2，其为应用传统发光二极管芯片的光源模块的结构剖面示意图。光源模块2包括有电路板21以及设置于电路板21上的多个发光二极管22(为了清楚表示，图2仅示出单一个发光二极管22)，且每一发光二极管22电性连接于电路板21，故可接收来自电路板21的电流而输出光束。其中，光源模块可被设置于电子装置(未显示于图中)内，令电子装置可提供输出光束的功能。

一般而言，光源模块可分为下列二种：第一，电路板21仅负责有关发光二极管22的电路操作，而电子装置所主要提供的电子功能的相关电子讯号处理则透过另一电路板进行。第二、电路板21能够负责有关发光二极管22的电路操作，也能够对有关于电子装置所主要提供的电子功能的相关电子讯号进行处理。

光源模块2中，每一发光二极管22皆为单一个传统发光二极管芯片1被封装后所形成者，且发光二极管芯片1的P极接点16以及N极接点17经由打线18而连接至电路板21的电性接脚211，借此发光二极管22才能接收来自电路板21的电流。然而，于发光二极管芯片1的封装过程中，发光二极管芯片1通常要被设置于一载板19上，但载板19所占据的体积以及预留打线18所需的高度皆是发光二极管芯片1被封装后的整体厚度会增加的主因，故应用传统发光二极管芯片1的光源模块十分不利于薄型化，当然，也不利于欲设置该光源模块的电子装置朝轻、薄、短小的方向发展。

根据以上的说明可知，传统光源模块具有改善的空间，因此，需要一种可降低厚度且可提升发光效率的光源模块。

此外，传统光源模块的制造方法先将发光二极管芯片设置于一承载体上以进行封胶工艺，于移除承载体之后，再进行发光二极管芯片与电路板的接合工艺。其中，该接合工艺需要高精密度的操作，造成光源模块的制造良率以及品质低落。因此，也需要一种可改善上述问题的光源模块的制造方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可降低厚度且可提升发光效率的光源模块以及其光源模块的制造方法。