[发明专利]泵装置及基板处理装置有效
申请号: | 201810857672.2 | 申请日: | 2018-07-31 |
公开(公告)号: | CN109427622B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 门间徹;小椋浩之;柏山真人;山本聪;竹内洋之;桐田将司;西村淳树;吉田省吾 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 处理 | ||
本发明的泵装置具有泵室、活塞、马达和控制部。控制部参照喷出命令、理论信息和活塞的当前位置,确定假想终点。控制部参照校正坐标图,将假想终点校正为目标位置。控制部向马达输出用于使活塞从出发位置移动到目标位置的驱动命令。
技术领域
本发明涉及喷出液体的泵装置以及处理基板的基板处理装置。基板例如是半导体晶片、液晶显示器用基板、有机EL(Electroluminescence:电致发光)用基板、FPD(FlatPanel Display:平板显示器)用基板、光学显示器用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
日本特开2006-60251号公报公开了一种具有马达、泵、控制部和显示部的基板处理装置。马达用于驱动泵。马达是脉冲马达。泵喷出抗蚀剂。操作者向控制部输入泵的控制信息。控制信息例如是喷出时间和喷出速度。控制部基于控制信息控制马达。控制部利用驱动脉冲来控制马达。控制部基于控制信息计算抗蚀剂的喷出量。显示部显示由控制部计算出的抗蚀剂的喷出量。
操作者还向控制部输入抗蚀剂的喷出量的校正值。校正值是在每个规定驱动脉冲下的喷出量的实测值。该情况下,控制部用校正值对计算出的抗蚀剂的喷出量进行校正。操作者还向控制部输入抗蚀剂的目标喷出量。该情况下,控制部用校正值对控制信息所规定的喷出时间或喷出速度进行校正,使得实际喷出的喷出量等于被输入到控制部的抗蚀剂的目标喷出量。
发明内容
然而,在具有这种结构的现有例的情况下,存在如下的问题。
即,在每个规定驱动脉冲下的喷出量不一定的情况下,仅校正喷出时间或喷出速度,并不能恰当地调整抗蚀剂的喷出量。每个规定驱动脉冲下的喷出量不一定的情况是指,例如每个规定驱动脉冲下的喷出量随着脉冲数的增加而波动的情况。
本发明是鉴于这种情况而提出的,其目的在于提供一种能够高精度地调整液体喷出量的泵装置及基板处理装置。
为了达到上述目的,本发明采取如下的结构。
即,本发明是一种泵装置,用于喷出液体,具有:泵室,用于容纳液体,通过减小所述泵室内的容积将所述泵室内的液体向所述泵室外喷出,可动构件,被设置为能够移动,并用于改变所述泵室内的容积,致动器,与所述可动构件连接,并使所述可动构件移动,以及控制部,控制所述致动器;所述控制部进行如下的控制,即,参照喷出命令、理论信息以及所述可动构件的出发位置来确定假想终点,所述喷出命令包括关于目标喷出量的信息,所述目标喷出量是从所述泵室喷出的液体的喷出量的目标值,所述理论信息是关于所述可动构件的位置与所述喷出量的理论关系的信息,参照校正信息,将所述假想终点校正为目标位置,所述校正信息是关于所述可动构件的位置与所述喷出量的理论关系、和所述可动构件的位置与所述喷出量的实际关系之间的差别的信息,向所述致动器输出驱动命令,所述驱动命令使所述可动构件从所述出发位置移动到所述目标位置。
控制部利用喷出命令、理论信息和出发位置确定假想终点。控制部利用校正信息将假想终点校正为目标位置。控制部基于目标位置控制致动器。致动器使可动构件从出发位置移动到目标位置。随着可动构件的移动,泵室的内容积减小,泵室向泵室外喷出液体。
此处,目标位置并非假想终点本身,而是校正后的假想终点的位置。特别地,用于校正的校正信息是关于可动构件的位置与喷出量的理论关系、和可动构件的位置与喷出量的实际关系之间的差别的信息。因此,无论假想终点位于哪一位置,控制部都能确定恰当的目标位置。因此,能够使泵室实际喷出的液体的量适当地近似于喷出命令所规定的目标喷出量。即,通过泵装置,能够高精度地调整实际的喷出量。
优选,上述泵装置中,所述理论信息将所述可动构件从第一基准位置到达第一位置时的所述喷出量的理论值与所述第一位置建立对应关系,所述校正信息将理论位置与实际位置建立对应关系,所述可动构件从第二基准位置到达所述理论位置时的所述喷出量的所述理论值等于所述可动构件从所述第二基准位置到达与所述理论位置建立对应关系的所述实际位置时的所述喷出量的实际值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造