[发明专利]一种氟化碲化锗二维材料的制备方法有效
| 申请号： | 201810858883.8 | 申请日： | 2018-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110775947B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 封伟;张鑫;赵付来;王宇;冯奕钰;李瑀 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 天津创智睿诚知识产权代理有限公司 12251 | 代理人： | 李薇 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氟化 碲化锗 二维 材料 制备 方法 | ||
1.一种氟化碲化锗二维材料的制备方法，其特征在于，按照下述步骤进行：按照等摩尔比将Ge、Te两种金属进行真空封装和处理，由20—25摄氏度在350—450min内升至1000—1100℃并维持1000—1200min再以0.5—3℃/min降温至20—25摄氏度，以得到GeTe晶体；将GeTe晶体冲洗除杂干燥后，置于氟气气氛中进行处理，由20—25摄氏度在200—300min内升至200—400℃并保温20—60小时，再以0.5—3℃/min降温至20—25摄氏度，得到氟化碲化锗二维材料GeTe-F，使用四氟胶带反复粘撕，得到二维层状半导体材料GeTe-F。
2.根据权利要求1所述的一种氟化碲化锗二维材料的制备方法，其特征在于，将Ge、Te两种金属进行真空封装和处理时，真空度达到0.1MPa以下，并保持惰性保护气体气氛。
3.根据权利要求2所述的一种氟化碲化锗二维材料的制备方法，其特征在于，惰性保护气体气氛为氮气、氦气或者氩气。
4.根据权利要求1所述的一种氟化碲化锗二维材料的制备方法，其特征在于，选择CVD管式炉进行程序温控。
5.根据权利要求1所述的一种氟化碲化锗二维材料的制备方法，其特征在于，将Ge、Te两种金属进行真空封装和处理时，由20—25摄氏度在380—400min内升至1000—1050℃并维持1100—1200min再以0.5—1℃/min降温至20—25摄氏度。
6.根据权利要求1所述的一种氟化碲化锗二维材料的制备方法，其特征在于，将GeTe晶体冲洗除杂干燥后，置于氟气气氛中进行处理时，真空度为50—100bar。
7.根据权利要求6所述的一种氟化碲化锗二维材料的制备方法，其特征在于，真空度为60—80bar。
8.根据权利要求1所述的一种氟化碲化锗二维材料的制备方法，其特征在于，选择向CVD管式炉中惰性保护气体气氛中通入氟气的方式，并同时维持真空度，以使CVD管式炉中达到氟气气氛，再将GeTe晶体置于CVD管式炉的氟气气氛中。
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