[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示面板在审
申请号: | 201810860305.8 | 申请日: | 2018-08-01 |
公开(公告)号: | CN109003991A | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 王超;赵生伟;刘华锋;南春香 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/417;H01L21/84 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 源层 薄膜晶体管 阵列基板 源漏极 显示区 周边电路区 第一表面 同层设置 显示面板 衬底 生产效率 制作工艺 制作 | ||
1.一种阵列基板,包括显示区和围绕所述显示区设置的周边电路区,其特征在于,包括:
衬底;
第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管设置在所述衬底的第一表面上,且位于所述显示区,包括第一栅极、第一有源层、第一源漏极;
第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管设置在所述第一表面上,且位于所述周边电路区,包括第二栅极、第二有源层、第二源漏极;
其中,形成所述第一薄膜晶体管的第一有源层和形成所述第二薄膜晶体管的第二有源层的材料不同,所述第一有源层和所述第二有源层同层设置,所述第一源漏极和所述第二源漏极同层设置。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一栅极和所述第二栅极同层设置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,形成所述第一有源层的材料包括氧化物半导体,形成所述第二有源层的材料包括低温多晶硅。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括第一绝缘层,所述第一绝缘层构成所述第一薄膜晶体管的第一层间绝缘层和所述第二薄膜晶体管的第二层间绝缘层,在相邻的所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管之间和/或相邻的两个所述第一薄膜晶体管之间,所述第一绝缘层具有第一镂空区域。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,还包括第二绝缘层,所述第二绝缘层构成所述第一薄膜晶体管的第一栅极绝缘层和所述第二薄膜晶体管的第二栅极绝缘层,所述第二绝缘层上具有第二镂空区域,所述第二镂空区域在所述衬底上的正投影与所述第一镂空区域在所述衬底上的正投影重叠。
6.一种制作权利要求1-5中任一项所述的阵列基板的方法,其特征在于,包括:
在衬底的第一表面上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一有源层和第一源漏极,所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二有源层、第二源漏极,其中,所述第一源漏极和所述第二源漏极通过一次构图工艺形成。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,包括:
通过第一构图工艺在所述第一表面上形成所述第二有源层;
通过第二构图工艺在所述第一表面上形成所述第一有源层;
在所述第一表面上形成覆盖所述第一有源层和所述第二有源层的第二绝缘层;
在所述第二绝缘层远离所述衬底的表面上形成第一导体层;
通过第三构图工艺对所述第一导体层进行第一图案化处理,得到所述第二栅极和图案化导体层,所述图案化导体层在垂直方向上的正投影覆盖显示区在垂直方向上的正投影;
利用所述第二栅极和所述图案化导体层为掩膜版,对所述第二有源层进行掺杂处理;
通过第四构图工艺对所述图案化导体层进行第二图案化处理,得到所述第一栅极。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,还包括:
形成第一绝缘层的步骤;
通过一次所述构图工艺形成过孔的步骤,所述第一源漏极和所述第二源漏极分别通过所述过孔与所述第一有源层和所述第二有源层电连接。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述第一绝缘层上的第一镂空区域、所述第二绝缘层上的第二镂空区域和所述过孔通过一次所述构图工艺形成。
10.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810860305.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
- 下一篇:固态影像装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的