[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示面板

说明书

本发明提供了阵列基板及其制作方法和显示面板。该阵列基板包括显示区和围绕显示区设置的周边电路区，还包括：衬底；设置在衬底的第一表面上，且位于显示区的第一薄膜晶体管，包括第一栅极、第一有源层、第一源漏极；设置在所述第一表面上，且位于周边电路区的第二薄膜晶体管，包括第二栅极、第二有源层、第二源漏极；形成第一薄膜晶体管的第一有源层和形成第二薄膜晶体管的第二有源层的材料不同，第一有源层和第二有源层同层设置，第一源漏极和所述第二源漏极同层设置。该阵列基板的制作工艺简单，容易实现，成本较低，生产效率高，易于工业化。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及阵列基板及其制作方法和显示面板。

背景技术

目前显示区和周边电路区的有源层采用不同材料形成的阵列基板的制作工艺较为繁琐，生产成本高，生产效率低。

因而，现有的阵列基板的相关技术仍有待改进。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种制作工艺简单、容易实现、成本较低、生产效率高、或者易于工业化的阵列基板。

在本发明的一个方面，本发明提供了一种阵列基板。根据本发明的实施例，该阵列基板包括显示区和围绕所述显示区设置的周边电路区，该阵列基板还包括：衬底；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述衬底的第一表面上，且位于所述显示区，包括第一栅极、第一有源层、第一源漏极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在所述第一表面上，且位于所述周边电路区，包括第二栅极、第二有源层、第二源漏极；其中，形成所述第一薄膜晶体管的第一有源层和形成所述第二薄膜晶体管的第二有源层的材料不同，所述第一有源层和所述第二有源层同层设置，所述第一源漏极和所述第二源漏极同层设置。由于该阵列基板的第一源漏极和第二源漏极同层设置，在制作该阵列基板时，该阵列基板的第一源漏极和第二源漏极可以通过一次掩膜形成；另外，该阵列基板的第一有源层和第二有源层同层设置，在制作该阵列基板时，显示区和周边电路区的过孔也可以通过一次掩膜形成，相较于相关技术中，在形成显示区和周边电路区的有源层的材料不同时，显示区与周边电路区的过孔需要两次掩膜形成，第一源漏极、第二源漏极也需要两次掩膜形成的阵列基板，节省了两次掩膜，制作工艺简单、容易实现，成本较低，生产效率高，易于工业化。

根据本发明的实施例，所述第一栅极和所述第二栅极同层设置。

根据本发明的实施例，形成所述第一有源层的材料包括氧化物半导体，形成所述第二有源层的材料包括低温多晶硅。

根据本发明的实施例，还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层构成所述第一薄膜晶体管的第一层间绝缘层和所述第二薄膜晶体管的第二层间绝缘层，在相邻的所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管之间和/或相邻的两个所述第二薄膜晶体管之间，所述第一绝缘层具有第一镂空区域。

根据本发明的实施例，还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层构成所述第一薄膜晶体管的第一栅极绝缘层和所述第二薄膜晶体管的第二栅极绝缘层，所述第二绝缘层上具有第二镂空区域，所述第二镂空区域在所述衬底上的正投影与所述第一镂空区域在所述衬底上的正投影重叠。

在本发明的另一个方面，本发明提供了一种制作前面所述的阵列基板的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：在衬底的第一表面上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一有源层和第一源漏极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二有源层、第二源漏极，其中，所述第一源漏极和所述第二源漏极通过一次构图工艺形成。由于在该方法中，第一源漏极和第二源漏极通过一次构图工艺形成，因此显示区和周边电路区的过孔也可以通过一次掩膜形成，相较于相关技术中，在形成显示区和周边电路区的有源层的材料不同时，显示区与周边电路区的过孔需要两次掩膜形成，第一源漏极、第二源漏极也需要两次掩膜形成，节省了两次掩膜，制作工艺简单、容易实现，成本较低，生产效率高，易于工业化。