[发明专利]半导体装置的制造方法及粘接层叠体在审
申请号: | 201810862224.1 | 申请日: | 2018-08-01 |
公开(公告)号: | CN109390240A | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 冈本直也;山田忠知;菊池和浩 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/485;C09J7/22;C09J7/30;C09J7/38;C09J201/00;C09J11/04;C09J11/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王利波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体元件 密封体 半导体装置 固化粘接剂 再布线层 粘接剂层 电连接 剥离 外部端子电极 密封树脂层 粘贴基材 层叠体 基材 粘接 固化 密封 制造 | ||
1.一种半导体装置的制造方法,该方法具有以下工序:
夹隔着粘接剂层粘贴基材和半导体元件的工序;
使所述粘接剂层固化而形成固化粘接剂层的工序;
将多个所述半导体元件密封而形成具有密封树脂层的密封体的工序;
将所述基材从所述密封体上剥离而不将所述固化粘接剂层从所述密封体上剥离的工序;
形成与所述半导体元件电连接的再布线层的工序;以及
使外部端子电极与所述再布线层电连接的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中,
将多个所述半导体元件粘贴于具有所述基材和所述粘接剂层的粘接层叠体的所述粘接剂层。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法,其中,
所述粘接剂层直接层叠于所述基材。
4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法,其中,
在所述粘接剂层与所述基材之间包含粘合剂层。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法,其中,
将所述基材从所述密封体上剥离的工序是不将所述固化粘接剂层从所述密封体上剥离而在所述粘合剂层与所述固化粘接剂层的界面处剥离的工序。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其中,
所述粘合剂层为热膨胀性粘合剂层。
7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中,
所述半导体元件具有所述粘接剂层。
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法,其中,
所述半导体元件的所述粘接剂层贴合于具有所述基材和粘合剂层的粘合片的所述粘合剂层。
9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法,其中,
将所述基材从所述密封体上剥离的工序是不将所述固化粘接剂层从所述密封体上剥离而在所述粘合剂层与所述固化粘接剂层的界面处剥离的工序。
10.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法,其中,
所述粘接剂层至少包含第一粘接剂层和第二粘接剂层,并且,
所述第一粘接剂层与所述第二粘接剂层的材质互不相同。
11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法,其中,
使所述粘接剂层固化而形成所述固化粘接剂层的工序是使所述第一粘接剂层固化而形成第一固化粘接剂层、并使所述第二粘接剂层固化而形成第二固化粘接剂层的工序。
12.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法,其中,
在夹隔着所述粘接剂层粘贴多个所述半导体元件和所述基材时,将所述半导体元件的与具有连接端子的电路面相反侧的元件背面朝向所述粘接剂层进行粘贴,
在将多个所述半导体元件密封而形成了所述密封体后,将包覆所述电路面的所述密封树脂层的一部分或全部除去,使所述连接端子露出,
使所述再布线层与露出的所述连接端子电连接。
13.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法,其中,
在夹隔着所述粘接剂层将多个所述半导体元件和所述基材粘贴时,将所述半导体元件的具有连接端子的电路面朝向所述粘接剂层进行粘贴,
在将所述基材从所述密封体上剥离之后,将包覆所述电路面的所述固化粘接剂层的一部分或全部除去,使所述连接端子露出,
使所述再布线层与露出的所述连接端子电连接。
14.根据权利要求1~13中任一项所述的半导体装置的制造方法,其中,
在使所述粘接剂层固化而形成所述固化粘接剂层的工序之前,将加强框粘贴于所述粘接剂层。
15.一种粘接层叠体,其具备:基材、和含有粘接剂组合物的粘接剂层,
其中,所述粘接剂组合物含有粘合剂聚合物成分及固化性成分,
所述粘接层叠体用于具有以下工序的半导体装置的制造工艺:
将多个半导体元件粘贴于所述粘接层叠体的所述粘接剂层的工序;
使所述粘接剂层固化而形成固化粘接剂层的工序;
将多个所述半导体元件密封而形成密封体的工序;
将所述基材从所述密封体上剥离而不将所述固化粘接剂层从所述密封体上剥离的工序;
形成与所述半导体元件电连接的再布线层的工序;以及
使外部端子电极与所述再布线层电连接的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造