[发明专利]半导体存储装置以及包括其的半导体系统有效
申请号: | 201810863556.1 | 申请日: | 2018-08-01 |
公开(公告)号: | CN109727621B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 金显承 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C7/18 | 分类号: | G11C7/18;G11C7/12;G11C8/14;G11C8/08 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;李少丹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 以及 包括 系统 | ||
1.一种半导体存储装置,包括:
左侧外围线,其被配置为耦接第一字节焊盘和第一存储体区域;
右侧外围线,其被配置为耦接第二字节焊盘和第二存储体区域;
外围中继器,其被配置为基于外围选通信号来耦接所述左侧外围线和所述右侧外围线;
第一存储体中继器,其被配置为基于第一存储体选通信号来耦接所述左侧外围线和布置在所述第一存储体区域中的第一存储体线;
第二存储体中继器,其被配置为基于第二存储体选通信号来耦接所述右侧外围线和布置在所述第二存储体区域中的第二存储体线;以及
控制电路,其被配置为基于字节信息和存储体选择信息来产生所述外围选通信号、所述第一存储体选通信号和所述第二存储体选通信号。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,
其中,所述第一字节焊盘耦接到第一数据总线,以及
其中,所述第二字节焊盘耦接到第二数据总线。
3.根据权利要求2所述的半导体存储装置,
其中,所述第一字节焊盘和所述第二字节焊盘之中的一个在第一字节操作模式下被激活,以及
其中,所述第一字节焊盘和所述第二字节焊盘都在第二字节操作模式下被激活。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,当所述第一字节焊盘被激活并且所述第一存储体区域被选中时,所述控制电路被配置为使能所述第一存储体选通信号,并且禁止所述外围选通信号和所述第二存储体选通信号。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,当所述第一字节焊盘被激活并且所述第二存储体区域被选中时,所述控制电路被配置为使能所述外围选通信号和所述第二存储体选通信号,并且禁止所述第一存储体选通信号。
6.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,当所述第二字节焊盘被激活并且所述第一存储体区域被选中时,所述控制电路被配置为使能所述外围选通信号和所述第一存储体选通信号,并且禁止所述第二存储体选通信号。
7.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,当所述第二字节焊盘被激活并且所述第二存储体区域被选中时,所述控制电路被配置为使能所述第二存储体选通信号,并且禁止所述外围选通信号和所述第一存储体选通信号。
8.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,所述外围中继器包括:
左侧外围中继器,其被配置为基于第一外围选通信号和第二外围选通信号来耦接所述左侧外围线和中间外围线;以及
右侧外围中继器,其被配置为基于所述第一外围选通信号和所述第二外围选通信号来耦接所述中间外围线和所述右侧外围线。
9.根据权利要求8所述的半导体存储装置,
其中,当所述第一字节焊盘被激活并且所述第二存储体区域被选中时,所述控制电路被配置为使能所述第一外围选通信号,并且禁止所述第二外围选通信号,以及
其中,所述左侧外围中继器基于所述第一外围选通信号而根据经由所述左侧外围线传输的信号来驱动所述中间外围线,并且所述右侧外围中继器基于所述第一外围选通信号而根据经由所述中间外围线传输的信号来驱动所述右侧外围线。
10.根据权利要求8所述的半导体存储装置,
其中,当所述第二字节焊盘被激活并且所述第一存储体区域被选中时,所述控制电路被配置为使能所述第二外围选通信号,并且禁止所述第一外围选通信号,以及
其中,所述右侧外围中继器基于所述第二外围选通信号而根据经由所述右侧外围线传输的信号来驱动所述中间外围线,并且左侧外围中继器基于所述第二外围选通信号而根据经由中间外围线传输的信号来驱动左侧外围线。
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