[发明专利]半导体存储装置以及包括其的半导体系统有效

专利信息
申请号: 201810863556.1 申请日: 2018-08-01
公开(公告)号: CN109727621B 公开(公告)日: 2023-04-25
发明(设计)人: 金显承 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C7/18 分类号: G11C7/18;G11C7/12;G11C8/14;G11C8/08
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 许伟群;李少丹
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 装置 以及 包括 系统
【说明书】:

本发明公开了一种半导体存储装置以及包括其的半导体系统。一种半导体存储装置包括第一字节焊盘和第二字节焊盘。左侧外围线耦接第一字节焊盘和第一存储体区域,并且右侧外围线耦接第二字节焊盘和第二存储体区域。外围中继器基于外围选通信号来耦接左侧外围线右侧外围线。外围选通信号基于字节信息和存储体选择信息来产生。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年10月31日向韩国知识产权局提交的韩国申请号为10-2017-0143325的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此,如同全文阐述。

技术领域

本发明的各种示例性实施例涉及一种半导体技术,以及更具体地,涉及一种半导体存储装置和半导体系统。

背景技术

电子设备包括许多电子元件,并且计算机系统包括许多包含半导体装置的电子元件。计算机系统的半导体装置之中的半导体存储装置可以与诸如处理器的主机通信,并且可以储存并输出数据。根据半导体存储装置在切断电源时是否能保留储存在其中的数据,半导体存储装置可以被分为易失性存储装置和非易失性存储装置。易失性存储装置可以包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)。非易失性存储装置可以包括:只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电擦除可编程ROM(EEPROM)、电可编程ROM(EPROM)、快闪存储器、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。

半导体存储装置可以包括被称为存储体的数据储存区域。位线和字线可以布置在存储体中。存储体可以具有布置在位线与字线之间的交叉点处的存储单元。通常,半导体存储装置可以包括多个存储体。在多个存储体之中选中的存储体可以根据操作模式而选择性地执行储存数据和输出数据的操作。半导体存储装置可以具有耦接到数据总线的数据焊盘。半导体存储装置可以通过数据焊盘接收从主机提供的数据。半导体存储装置可以经由数据焊盘将数据输出到主机。半导体存储装置可以具有数据线,其被配置为在数据焊盘与多个存储体之间传输数据。

发明内容

在一个实施例中,一种半导体存储装置可以包括:左侧外围线(peri-line),其被配置为耦接第一字节焊盘和第一存储体区域;右侧外围线,其被配置为耦接第二字节焊盘和第二存储体区域;外围中继器(peri-repeater),其被配置为基于外围选通信号来耦接所述左侧外围线和所述右侧外围线;第一存储体中继器(repeater),其被配置为基于第一存储体选通信号来耦接所述左侧外围线和布置在所述第一存储体区域中的第一存储体线;第二存储体中继器,其被配置为基于第二存储体选通信号来耦接所述右侧外围线和布置在所述第二存储体区域中的第二存储体线;控制电路,其被配置为基于字节信息和存储体选择信息来产生所述外围选通信号、所述第一存储体选通信号和所述第二存储体选通信号。

在一个实施例中,一种半导体存储装置可以包括:左侧外围线,其被配置为耦接第一字节焊盘和第一存储体区域;右侧外围线,其被配置为耦接第二字节焊盘和第二存储体区域;左侧外围中继器,其被配置为基于第一外围选通信号和第二外围选通信号来耦接左侧外围线和中间外围线;右侧外围中继器,其被配置为基于所述第一外围选通信号和所述第二外围选通信号来耦接所述中间外围线和右侧外围线;以及控制电路,其被配置为基于字节信息和存储体选择信息来产生所述第一外围选通信号和所述第二外围选通信号,并且基于写入信息来调节输出所述第一外围选通信号和所述第二外围选通信号的时间。

附图说明

图1是图示了根据一个实施例的半导体系统的示例配置的代表的示图;

图2是图示了根据一个实施例的半导体存储装置的示例配置的代表的示图;

图3是图示了图2中所示的控制电路的示例配置的代表的示图;

图4是图示了图3中所示的激活存储体信息发生电路的示例配置的代表的示图;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810863556.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top