[发明专利]比特判断方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置有效

专利信息
申请号: 201810863578.8 申请日: 2018-08-01
公开(公告)号: CN110795268B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 林纬;刘安城;杨宇翔;许祐诚 申请(专利权)人: 群联电子股份有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 吴志红;臧建明
地址: 中国台湾*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 比特 判断 方法 存储器 控制电路 单元 以及 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种比特判断方法,用于可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储单元,所述多个存储单元中的每一个存储单元具有多个存储状态的其中之一,所述多个存储状态中的每一个存储状态具有多个有效比特,所述比特判断方法包括:

通过存储器管理电路读取所述多个存储单元中第一存储单元的第一存储状态以获得所述第一存储状态的第一有效比特的第一数值;

通过所述存储器管理电路读取所述第一存储单元的所述第一存储状态以获得所述第一存储状态的至少一第二有效比特的至少一第二数值;

通过错误检查与校正电路根据所述第二数值执行第一解码操作以获得解码后的所述第二有效比特的至少一第三数值;

通过所述存储器管理电路根据所述第一存储状态以及所述第三数值所对应的第二存储状态,判断所述第一有效比特是否为特殊比特;以及

当所述第一有效比特为所述特殊比特时,通过所述错误检查与校正电路执行相对应的解码操作。

2.根据权利要求1所述的比特判断方法,其中所述多个存储状态若反应在存储状态电压分布图中是依照顺序分布,所述方法还包括:

当判断所述第一存储状态与所述第二存储状态若反应在所述存储状态电压分布图中的分布位置为不相邻时,判断所述第一有效比特为所述特殊比特。

3.根据权利要求2所述的比特判断方法,其中在读取所述第一存储单元的所述第一存储状态以获得所述第一存储状态的所述第二有效比特的所述第二数值的步骤之前,所述方法还包括:

根据所述第一有效比特的所述第一数值执行第二解码操作;以及

当根据所述第一有效比特的所述第一数值执行所述第二解码操作发生失败时,执行读取所述第一存储单元的所述第一存储状态以获得所述第一存储状态的所述第二有效比特的所述第二数值的步骤。

4.根据权利要求3所述的比特判断方法,其中执行所述相对应的解码操作的步骤包括:

将对应于所述第一有效比特的所述第一数值的解码参数调整为特定解码参数,其中所述解码参数用以在所述第二解码操作中对所述第一有效比特的所述第一数值进行解码;以及

根据所述特定解码参数以及所述第一有效比特的所述第一数值执行第三解码操作以获得解码后的所述第一有效比特的第四数值。

5.根据权利要求4所述的比特判断方法,其中所述第一解码操作、所述第二解码操作以及所述第三解码操作为软比特解码操作。

6.根据权利要求5所述的比特判断方法,其中所述解码参数与所述特定解码参数为所述软比特解码操作中的对数可能性比值。

7.根据权利要求3所述的比特判断方法,其中在判断所述第一有效比特为所述特殊比特的步骤之后,所述方法还包括:

判断所述第一有效比特为第四数值,其中所述第四数值不同于所述第一数值。

8.根据权利要求1所述的比特判断方法,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个字线,所述多个存储单元被配置于所述多个字线与多个位线的交错处,其中

所述第一存储单元位于所述多个字线中的第一字线上,且位于所述第一字线上的其他存储单元以及所述第一存储单元形成物理程序化单元组,所述物理程序化单元组中的第一物理程序化单元用以存储所述第一数值,所述物理程序化单元组中的至少一第二物理程序化单元用以存储所述第二数值,且所述第一物理程序化单元不同于所述第二物理程序化单元。

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