[发明专利]制备双层薄膜的方法和量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种制备双层薄膜的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)在基底上通过溶液法制备下层薄膜；

(2)将基底及下层薄膜加热至一定的温度，同时上层薄膜材料的前驱液加热到一定的温度；

(3)将加热后的上层薄膜材料的前驱液通过溶液法制备上层薄膜，所述上层薄膜位于下层薄膜上，形成双层薄膜。

2.如权利要求1所述的一种制备双层薄膜的方法，其特征在于，双层薄膜的材料为聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]和聚乙烯基咔唑。

3.如权利要求1所述的一种制备双层薄膜的方法，其特征在于，所述基底加热温度范围在40-80℃，所述前驱液温度范围在70-90℃。

4.如权利要求1所述的一种制备双层薄膜的方法，其特征在于，所述溶液法包括旋涂法、刮涂法、滴涂法或印刷法。

5.如权利要求1所述的一种制备双层薄膜的方法，其特征在于，下层薄膜前驱液为氯苯，上层薄膜前驱液为间二甲苯。

6.如权利要求5所述的一种制备双层薄膜的方法，其特征在于，所述下层材料前驱液浓度为5-20mg/ml，所述上层材料前驱液浓度为0.5-5mg/ml。

7.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述量子点发光二极管的双空穴传输层是双层薄膜结构，其采用如权利要求1-6所述的方法制备。

8.一种如权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法制备的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管从底层到顶层依次为：透明电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和金属电极。