[发明专利]制备双层薄膜的方法和量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开了一种制备双层薄膜的方法和量子点发光二极管及其制备方法，所述制备双层薄膜的方法包括以下步骤：在基底上通过溶液法制备下层薄膜；将基底及下层薄膜加热至一定的温度，同时上层薄膜材料的前驱液加热到一定的温度；将加热后的上层薄膜材料的前驱液通过溶液法制备上层薄膜，上层薄膜位于下层薄膜上，形成双层薄膜。本发明通过加热上层薄膜材料的前驱液和控制基底和下层薄膜的温度，制得均匀平整的双层膜结构，并且该方法具有成本低，工艺简单易控制，成膜质量好等优点。本发明通过对溶剂的筛选，选择了不会破坏下层薄膜的间二甲苯作为上层材料的溶剂，充分利用了poly‑TPD和PVK的优点，大大提升了量子点发光二极管的效率，降低了器件的开启电压。

技术领域

本发明属于光电器件技术领域，更具体地，涉及制备双层薄膜的方法和量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](poly-TPD)和聚乙烯基咔唑(PVK)作为常用的空穴传输层被广泛的应用在电致发光器件中，包括有机发光二极管(Organic LightEmittingDiode，简称OLED)、量子点发光二极管(Quantum Dots Light EmittingDiode，简称QLED)和钙钛矿发光二极管中。在发光二极管中，影响效率的一个最基本的因素是载流子平衡。

在溶液法制备的发光二极管中，电子传输层一般选用能级匹配，迁移率较高的氧化锌，然而当poly-TPD和PVK分别用作空穴传输层时，材料本身的缺陷使得空穴传输无法与电子传输相匹配，从而导致了载流子不平衡，最终降低器件效率。具体的说，poly-TPD虽然具有较大的空穴迁移率，但最高占据轨道(HOMO)能级较浅，与发光层之间的能级差较大，导致严重的能垒，使空穴传递到发光层阻碍变大；PVK的HOMO能级比poly-TPD更深，虽然与发光层之间的能级差更小，但由于它本身的迁移率低，由此导致空穴传输速率低，与电子传输无法匹配。

为了尽量利用到poly-TPD和PVK的优点，将这两种材料结合，制备成具有阶梯能级的双空穴层，由此既利用了poly-TPD的高迁移率，又利用了PVK较深的HOMO能级，空穴迁移率能有一定的提升，从而与电子能更好的匹配，能更好的达到平衡，最终提升效率。但是通过普通的溶液制备法并不能成功的制备出上述双空穴层，因为poly-TPD和PVK是溶解性质类似的聚合物，能溶解它们的溶剂基本相同，所以，当制备上层材料时下层材料会被溶剂溶解而破坏。因此亟需找到一种特殊的方法来制备这种双空穴层。

发明内容

针对现有技术的缺陷，本发明的目的在于解决现有技术普通的溶液制备法并不能成功的制备出上述双空穴层的技术问题。

为实现上述目的，第一方面，本发明实施例提供了一种制备双层薄膜的方法，该方法包括以下步骤：

(1)在基底上通过溶液法制备下层薄膜；

(2)将基底及下层薄膜加热至一定的温度，同时上层薄膜材料的前驱液加热到一定的温度；

(3)将加热后的上层薄膜材料的前驱液通过溶液法制备上层薄膜，所述上层薄膜位于下层薄膜上，形成双层薄膜。

具体地，双层薄膜的材料为聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]和聚乙烯基咔唑。

具体地，所述基底加热温度范围在40-80℃，所述前驱液温度范围在70-90℃。

具体地，所述溶液法包括旋涂法、刮涂法、滴涂法或印刷法。

具体地，下层薄膜前驱液为氯苯，上层薄膜前驱液为间二甲苯。

具体地，所述下层材料前驱液浓度为5-20mg/ml，所述上层材料前驱液浓度为0.5-5mg/ml。

为实现上述目的，第二方面，本发明实施例提供了一种量子点发光二极管的制备方法，所述量子点发光二极管的双空穴传输层是双层薄膜结构，其采用如上述方法制备。