[发明专利]一种检测装置及检测方法

说明书

本申请公开了一种检测装置及检测方法，利用所述检测装置对所述待测样品进行检测时，可以通过物镜切换装置对第一探测装置和第二探测装置的切换，实现对所述待测样品的高度信息和结构信息的获取，在这个过程中无需将待测样品在检测装置之间转移，不仅避免了在转移所述待测样品的过程中可能造成的污染，降低了待测样品在检测过程中被污染的概率，而且无需重复进行待测样品的待检测区域的确定，提升了待测样品的检测速度。

技术领域

本申请涉及测量技术领域，更具体地说，涉及一种检测装置及检测方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，各类半导体芯片的工艺制程也相继进入了纳米级别。并且随着半导体芯片的尺寸的日益减小，需要开发新的加工工艺来适应小尺寸半导体芯片的制备。

半导体芯片的加工工序繁多，如果中间某一工序加工不合格均可能导致整个芯片的损坏失效，白白浪费掉了后续的加工工序。因此在半导体芯片的制程中，生产人员常常在关键加工步骤后引入芯片检测工序，对半导体芯片的横向尺寸、膜厚信息和高度信息进行测量，以判断当前的半导体芯片是否符合要求，从而及时排除不合格的半导体芯片，进而达到降低半导体芯片的生产成本和提高半导体芯片的产品合格率的目的。

现有技术中对于半导体芯片的检测的主要目的是通过光学测量手段获取待测样品的光学检测信息，例如依靠扫描白光干涉检测装置和膜厚检测装置等获取待测样品的光学检测信息，其中，扫描白光干涉检测装置能够实现对半导体芯片的成像和高精度的高度测量，但是对于半导体芯片中的膜层测量要求却无法满足，此时需要将待测的半导体芯片从该装置移出并设置在膜厚检测装置中，以进行膜层厚度的测量；由于半导体芯片上通常集成有多个小芯片，并且每个小芯片均由复杂的微小结构构成，因此在更换检测装置后，需要对半导体芯片上的检测区域进行重新定位，这不仅降低了检测速度，而且半导体芯片在装置之间的移动和多次定位过程增加了半导体芯片被污染的几率。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请提供了一种检测装置及检测方法，以实现提高半导体芯片的检测速度，并且降低半导体芯片在检测过程中被污染的几率的目的。

为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种检测装置，包括：

承载平台，用于承载待测样品；

光源装置，所示光源装置用于出射探测光线；

第一探测装置，所述第一探测装置用于接收所述探测光线，并形成第一测量光和第一参考光，所述第一测量光经待测样品反射后与第一参考光发生干涉；

第二探测装置，所述第二探测装置用于将所述探测光线汇聚至所述待测样品表面，形成第二测量光；

物镜切换装置，用于对所述第一探测装置或所述第二探测装置进行切换，使所述第一探测装置或所述第二探测装置处于光路中；

测量设备，用于根据经所述待测样品反射回的第一测量光和第一参考光获取所述待测样品的高度信息，并根据所述第二测量光获取待测样品的结构信息。

可选的，所述测量设备包括第一测量装置，用于获取所述高度信息；

所述第一测量装置还用于根据经待测样品反射回的第二测量光获取所述待测样品的成像信息。

可选的，所述第一测量装置包括图像传感器。

可选的，所述测量设备还包括：第二测量装置；

所述第二测量装置用于根据经待测样品反射回的第二测量光获取所述待测样品的膜厚信息。

可选的，所述第二测量装置包括光谱仪。

可选的，还包括：光阑；

所述光阑用于限制进入所述第二测量装置的光线。