[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，包括下布线；

蚀刻停止层，在所述衬底上，所述蚀刻停止层与所述衬底接触；

层间绝缘层，在所述蚀刻停止层上；

上布线，设置在所述层间绝缘层中并且与所述下布线分开；以及

通路，形成在所述层间绝缘层和所述蚀刻停止层中并且将所述下布线与所述上布线连接，

其中所述通路包括在所述蚀刻停止层中的第一部分和在所述层间绝缘层中的第二部分，以及

其中所述通路的所述第一部分的侧壁包括台阶构造。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述通路的所述第一部分的所述侧壁包括远离所述衬底延伸的第一侧壁和第二侧壁、以及将所述第一侧壁与所述第二侧壁连接的第三侧壁。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一侧壁比所述第二侧壁更靠近所述衬底的上表面，

其中所述通路的所述第一部分包括与所述第一侧壁对应的第三部分、以及与所述第二侧壁对应的第四部分，以及

其中所述通路的所述第三部分的宽度小于所述通路的所述第四部分的宽度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述蚀刻停止层包括顺序地一个堆叠在另一个上的第一蚀刻停止图案、第二蚀刻停止图案和第三蚀刻停止图案，

其中所述第一蚀刻停止图案围绕所述通路的所述第三部分，以及

其中所述第二蚀刻停止图案和所述第三蚀刻停止图案围绕所述通路的所述第四部分。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述蚀刻停止层包括顺序地一个堆叠在另一个上的第一蚀刻停止图案、第二蚀刻停止图案和第三蚀刻停止图案，以及

其中所述第三侧壁与所述第一蚀刻停止图案的上表面的一部分接触。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述蚀刻停止层包括顺序地一个堆叠在另一个上的第一蚀刻停止图案、第二蚀刻停止图案和第三蚀刻停止图案，以及

其中所述第三侧壁与所述第二蚀刻停止图案的上表面的一部分接触。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述蚀刻停止层包括顺序地堆叠在所述衬底上的下蚀刻停止图案和上蚀刻停止图案，

其中所述通路的所述第一部分包括在所述下蚀刻停止图案中的第三部分和在所述上蚀刻停止图案中的第四部分，以及

其中，在所述下蚀刻停止图案与所述上蚀刻停止图案之间的边界处，所述第三部分的宽度小于所述第四部分的宽度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述下蚀刻停止图案包括在所述衬底上的第一蚀刻停止图案，以及

其中所述上蚀刻停止图案包括顺序地堆叠在所述第一蚀刻停止图案上的第二蚀刻停止图案和第三蚀刻停止图案。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述下蚀刻停止图案包括顺序地堆叠在所述衬底上的第一蚀刻停止图案和第二蚀刻停止图案，以及

其中所述上蚀刻停止图案包括堆叠在所述第二蚀刻停止图案上的第三蚀刻停止图案。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述蚀刻停止层包括顺序地一个堆叠在另一个上的第一蚀刻停止图案、第二蚀刻停止图案和第三蚀刻停止图案，

其中所述第一蚀刻停止图案和所述第三蚀刻停止图案包括相同的材料，以及

其中所述第二蚀刻停止图案包括与所述第一蚀刻停止图案和所述第三蚀刻停止图案的材料不同的材料。