[发明专利]多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法

说明书

本发明提供能够在多束描绘中缩短最大照射时间的多带电粒子束描绘装置及方法。该装置具备：组合设定处理电路，按成为多带电粒子束的设计上的照射位置的多个设计栅格的每个设计栅格，使用实际的照射位置与该设计栅格接近的4个以上的束，设定实际的照射位置包围该设计栅格的各3个束所组合的多个组合；第1分配系数运算处理电路，按照多个组合的每个组合，对构成该组合的3个束，运算对构成该组合的3个束的各束的第1分配系数，该第1分配系数用于以分配后的各分配剂量的重心位置以及总和与该设计栅格位置以及对该设计栅格照射的预定的剂量一致的方式分配对该设计栅格照射的预定的剂量；第2分配系数运算处理电路，按照4个以上的束的每个束，运算将对与该束对应的第1分配系数合计而得到的值除以多个组合的数而得到的、相对于该设计栅格的4个以上的束的各束的第2分配系数。

技术领域

本发明涉及多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法，例如涉及对多束描绘的最大照射时间进行控制的方法。

背景技术

担负半导体器件的微细化的进展的光刻技术，即使在半导体制造过程中也是生成唯一图案的非常重要的过程。近年，伴随着LSI的高集成化，半导体器件中要求的电路线宽逐年微细化。这里，电子线(电子束)描绘技术本质上具有优秀的清晰度，对掩模基底进行使用电子线来描绘掩模图案的处理。

例如，有使用了多束的描绘装置。与用1根电子束描绘的情况相比，通过使用多束，能够一次照射很多束，所以能够大幅提高生产能力。在该多束方式的描绘装置中，例如，使从电子枪放射的电子束通过具有多个孔的掩模而形成多束，各束被进行消隐控制、未被遮蔽的各束通过光学系统被缩小，掩模像被缩小，通过偏转器被偏转，照射到试样上的所期望的位置。

在多束描绘中，通过照射时间来控制各束的照射量。然而，由于同时期照射多束，因此每1次发射(shot)的发射时间，受各束的最大照射时间约束。在使描绘中的台架(stage)匀速连续移动的情况下，台架速度通过使得以多束的全发射中的最大的照射时间进行照射成为可能的速度来定义。因此，最大的照射时间的发射，会限制发射循环和台架速度。若最大照射时间变大，则相应地描绘装置的生产能力会降低。

这里，关于各束的照射量，为了对由于邻近效应等现象而产生的尺寸变动进行校正而进行剂量(dose)调制。并且，若为多束，则在光学系统的特性上，在曝光域(field)会产生畸变，由于该畸变等，各个束的照射位置会从理想栅格偏移。但是，若为多束，则难以使各个束单独地偏转，因而难以单独地控制各个束在试样面上的位置。因此，进行通过剂量调制来对各束的位置偏移进行校正的处理(例如，参照日本特开2016－103557号公报)。在进行上述剂量调制后，照射到各照射位置的照射量的范围，相对于基准剂量而言，剂量调制的范围需要达到例如数100％。因此，最大照射时间越发变长。

发明内容

本发明的一个方式，提供能够在多束描绘中缩短最大照射时间的多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法。

本发明的一个方式的多带电粒子束描绘装置具备：

放射源，放射带电粒子束；

成形孔径阵列基板，受到带电粒子束的照射，形成多带电粒子束；

组合设定处理电路，按成为多带电粒子束的设计上的照射位置的多个设计栅格的每个设计栅格，使用实际的照射位置与该设计栅格接近的4个以上的束，设定实际的照射位置包围该设计栅格的各3个束所组合的多个组合；

第1分配系数运算处理电路，按照多个组合的每个组合，对构成该组合的3个束，运算对构成该组合的3个束的各束的第1分配系数，该第1分配系数用于以分配后的各分配剂量的重心位置以及总和与该设计栅格位置以及对该设计栅格照射的预定的剂量一致的方式分配对该设计栅格照射的预定的剂量；