[发明专利]废气处理装置以及废气处理方法

说明书

本发明提供一种废气处理装置及废气处理方法，当在燃烧式废气处理装置中处理含有氢的处理气体时，该废气处理装置将处理气体和助燃性气体朝向燃烧室的内周面的切线方向吹入而形成从燃烧室内壁浮起的两种混合的圆筒状混合火焰，从而能够防止燃烧室的热损伤。一种对含有氢的处理气体进行燃烧处理而实现无害化的废气处理装置，对含有氢的处理气体进行燃烧的燃烧室(1)构成为圆筒状的燃烧室(1)，燃烧室(1)具备将处理气体和助燃性气体分别朝向燃烧室(1)的内周面的切线方向吹入的处理气体用喷嘴(3A)和助燃性气体用喷嘴(3B)，处理气体用喷嘴(3A)和助燃性气体用喷嘴(3B)位于与燃烧室(1)的轴线正交的同一平面上。

技术领域

本发明涉及对从制造半导体器件等的制造装置排出的废气进行燃烧处理而实现无害化的废气处理装置，尤其涉及一种对从EUV(Extreme Ultra Violet：极短紫外光)曝光装置排出的废气进行燃烧处理而实现无害化的废气处理装置。

背景技术

MPU、DRAM等半导体集成电路的高集成化及其必需的微细化通过转印电路图案的曝光装置光学系统的短波长化、和浸液、多图案化(multi patterning)等技术而得到了实现。

光学系统的短波长化可以说已接近技术上的极限，但是近几年EUV(ExtremeUltra Violet：极短紫外光)曝光装置逐渐实现实用化。EUV是指将到目前为止花费数十年间以365nm→248nm→193nm(现行)阶段性发展而来的短波长化一下子推进到13.5nm的技术，正因为如此，才存在要克服的各种各样的技术上的障碍。

其中之一是装置内的污染对策。EUV曝光装置是超精密设备，尤其会因异物进入光学系统而导致性能急剧下降。EUV曝光装置由产生EUV的光源部、和通过由光源部产生的EUV进行晶片的曝光的曝光部构成，已知在光源部中通过向目标的激光照射而生成的锡(Sn)的氧化物、和在曝光部中从感光性物质(抗蚀剂)脱离的有机物质分别为代表性的污染源，但它们是在装置的运用上必然产生的，且无法防止其产生。

作为针对它们的污染对策，有一种使用氢气的方法。在光源部中使用数百L/分的氢气将锡的氧化物作为气态的氢化物来除去，并在曝光部中同样使用数十L/分的氢气使有机物质气化来除去。所使用的氢气虽然大半都未发生反应，但会作为所除去的污染物质的载体而从装置排出。但是，由于存在使曝光部内成为真空的动作工序、光源部与曝光部在某种程度上独立动作、以及定期的维护这些主要原因，所以排出的氢气的量的变动很大。

因此，从EUV曝光装置排出包含具有一百几十～几百L/分这一变动幅度的氢气在内的处理气体(废气)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4937886号公报

发明内容

从半导体器件等制造装置排出的处理气体(废气)通常在由废气处理装置实现了无害化处理之后被排出到大气中。作为该无害化处理方法，如专利文献1等公开的那样广泛采用了燃烧式废气处理装置，该燃烧式废气处理装置将燃料(燃料气体)与助燃性气体(含氧气体)混合而使燃料燃烧来形成火焰，并在火焰中混合处理气体(废气)而对处理气体进行燃烧处理。

然而，由于从EUV曝光装置排出的处理气体(废气)中包含大量氢气，所以有可能无需另行供给燃料，而仅通过供给助燃性气体(含氧气体)就能对处理气体进行燃烧处理。