[发明专利]一种CMP沟槽加工定位方法及定位装置

说明书

本发明公开了一种CMP沟槽加工定位方法，所述定位方法包括以下步骤：(1)制作用于定位抛光垫基材的定位环装置；(2)将定位环装置定位放置在雕刻设备的加工平台上；(3)将加工好的抛光垫基材放入与其相对应的定位环装置的镂空卡槽中；(4)雕刻设备的加工平台上带有的真空吸附小孔使抛光垫基材真空吸附在雕刻设备的平台上；(5)将定位装置外壁与雕刻机雕刻刀具圆盘外壁相对，在抛光垫基材上进行雕刻沟槽。本发明通过将抛光垫基材直接放入预先在平台定位固定的固定环装置的卡槽内并使固定环装置与雕刻刀具圆盘真空吸附，从而使抛光垫基材被充分的固定。

技术领域

本发明涉及化学机械抛光(CMP)领域，具体为一种CMP沟槽加工定位方法及定位装置。

背景技术

化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)是将机械研磨作用和化学氧化作用结合来去除被加工工件表面材料的一种微纳米加工技术，该技术可以使被加工工件表面超平坦、超光滑，主要应用于IC和MEMS制造领域。在CMP时，旋转的晶片被压在旋转的抛光垫上，含有磨粒和化学品的抛光液在晶片和抛光垫之间流动，晶片表面材料在抛光液中化学品的化学作用和磨粒、抛光垫的机械作用下被不断去除。抛光垫在CMP过程中起着非常重要的作用，一个完整的抛光垫从上到下的组成是基材、背胶、衬底，基材就是与晶片接触的部分，主要起磨抛作用，背胶将基材和衬底贴合在一起，衬底主要起支撑作用。为了保证抛光液在基材上有充分的作用时间，通常会在基材上雕刻出沟槽以贮存抛光液，同时，基材自身的孔隙也会贮存抛光液，增加抛光液与晶片的接触时间和面积。抛光垫基材上的沟槽加工是CMP生产的重要一环，如果在雕刻沟槽时出现问题，将导致抛光垫报费。

目前，雕刻工序是将上一工序加工完成的抛光垫基材放在雕刻设备的加工平台上，通过人工肉眼观察，比对雕刻刀具位置进行抛光垫基材定位，定位完成后，将抛光垫基材周围空余的部分贴上封条形成真空吸附，然后加工平台进行快速旋转，雕刻刀具垂直抛光垫基材上方缓慢下降，通过加工平台旋转对抛光垫基材雕刻出一定深度的沟槽。但往往由于人工肉眼观察定位存在误差，如果定位不准抛光垫基材上雕刻的沟槽就会有误，导致抛光垫基材报废。

发明内容

本发明的目的在于：针对上述在抛光垫基材上雕刻沟槽时，人工肉眼观察定位存在误差导致雕刻失败，以及在定位过程中需要人工对空余部分贴上封条形成真空吸附，费时费力的问题，本发明提供一种CMP沟槽加工定位方法及定位装置。

本发明采用的技术方案如下：

一种CMP沟槽加工定位方法，所述定位方法包括以下步骤：

(1)制作用于定位抛光垫基材的定位环装置；

(2)将定位环装置定位放置在雕刻设备的加工平台上；

(3)将加工好的抛光垫基材放入与其相对应的定位环装置的镂空卡槽中；

(4)雕刻设备的加工平台上带有的真空吸附小孔使抛光垫基材真空吸附在雕刻设备的平台上；

(5)将定位装置外壁与雕刻机雕刻刀具圆盘外壁相对，在抛光垫基材上进行雕刻沟槽。

进一步地，所述定位环装置外壁设为与现在所用雕刻设备的加工平台形状尺寸相同的结构，可以是圆形、正方形、长方形、三角形、菱形中的任一形状。

进一步地，所述镂空卡槽设为开在定位环装置中部的圆形镂空卡槽，所述圆形镂空卡槽内壁直径设为与圆形抛光垫基材直径相同。

进一步地，所述圆形镂空卡槽内壁直径为550mm～700mm。

进一步地，所述镂空卡槽设为开在定位环装置中部的正方形镂空卡槽，所述正方形镂空卡槽内壁边长设为与正方形抛光垫基材边长相同。

进一步地，所述正方形镂空卡槽内壁边长为400mm～600mm。