[发明专利]一种分离栅MOSFET器件结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201810877368.4 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN108767004A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 殷允超;周祥瑞;刘锋 | 申请（专利权）人： | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 226200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 分离栅 漂移区 导电类型阱 栅极多晶硅 厚氧化层 器件元胞 填充 掩蔽 半导体器件 表面延伸 导通电阻 耐压性能 器件沟槽 栅氧化层 制作工艺 多晶硅 氧化层 邻接 并联 衬底 光刻 源区 制造 | ||
1.一种分离栅MOSFET器件结构，包括有源区，所述有源区内包括若干个相互并联的器件元胞单元，所述器件元胞单元包括第一导电类型衬底（1）及位于第一导电类型衬底（1）上的第一导电类型漂移区（2），在所述第一导电类型漂移区（2）的上部设有第二导电类型阱区（8），其特征在于，在所述第二导电类型阱区（8）间设有第一类型沟槽（3）及位于所述第一类型沟槽（3）两侧的第二类沟槽（4），且所述第一类型沟槽（3）和第二类沟槽（4）均从第一导电类型漂移区（2）表面延伸到其内部，在所述第一类型沟槽（3）内填充有分离栅多晶硅（5）、包裹所述分离栅多晶硅（5）的厚氧化层（6）及盖封在所述分离栅多晶硅（5）上的掩蔽氧化层（7），在所述第二类沟槽（4）内填充有栅极多晶硅（10）及位于栅极多晶硅（10）外侧的栅氧化层（11），所述栅极多晶硅（10）的内侧与厚氧化层（6）邻接。
2.根据权利要求1所述的一种分离栅MOSFET器件结构，其特征在于：所述第一类型沟槽（3）和第二类沟槽（4）上覆盖有绝缘介质层（12），所述绝缘介质层（12）上覆盖有源极金属（13），在所述第二导电类型阱区（8）内的上部设有第一导电类型源极区（9），所述源极金属（13）填充在第一导电类型源极区（9）间的接触孔内，所述源极金属（13）与第一类型沟槽（3）内的分离栅多晶硅（5）电连接。
3.根据权利要求2所述的一种分离栅MOSFET器件结构，其特征在于：所述第一导电类型源极区（9）与第二类沟槽（4）邻接，所述源极金属（13）通过绝缘介质层（12）与第二类沟槽（4）内的栅极多晶硅（10）隔离。
4.根据权利要求1所述的一种分离栅MOSFET器件结构，其特征在于：所述第一类型沟槽（3）的深度大于第二类沟槽（4）深度，所述第二类沟槽（4）的深度不小于第二导电类型阱区（8）的结深。
5.根据权利要求1所述的一种分离栅MOSFET器件结构，其特征在于：在所述第一导电类型衬底（1）的下表面设置漏极金属（14），所述漏极金属（14）与第一导电类型衬底（1）欧姆接触。
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