[发明专利]肖特基二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括步骤：

清洗硅外延片；

在所述硅外延片上生长得到第一氧化层；

蚀刻所述第一氧化层和所述硅外延片以形成至少一个沟槽、第一缺口和第二缺口，其中，所述至少一个沟槽、所述第一缺口和所述第二缺口贯穿所述第一氧化层、并伸入所述硅外延片内部，所述至少一个沟槽形成于所述硅外延片的中部，所述第一缺口和所述第二缺口分别形成于所述硅外延片的位于所述中部相对两侧的边沿；

在所述至少一个沟槽的表面、所述第一缺口的表面和所述第二缺口的表面生长得到第二氧化层；

在所述第一氧化层和所述第二氧化层上形成多晶硅层，其中，所述多晶硅层填充所述至少一个沟槽的除所述第二氧化层之外的空间；

蚀刻所述多晶硅层和所述第一氧化层，以去除所述多晶硅层和所述第一氧化层的凸出于所述硅外延片上表面的部分；

在所述硅外延片和所述第二氧化层上形成介质层、并使所述介质层延伸至所述第一缺口和所述第二缺口内以覆盖所述第一缺口和所述第二缺口的底部；

蚀刻所述介质层以形成肖特基接触孔，其中，所述肖特基接触孔贯穿所述介质层、且在所述硅外延片上的投影覆盖所述至少一个沟槽；

在所述介质层上形成阳极金属层、并使所述阳极金属层延伸至所述肖特基接触孔内以覆盖所述肖特基接触孔的底部；

蚀刻所述阳极金属层以形成第三缺口、第四缺口和多个开孔，其中，所述第三缺口和所述第四缺口分别形成于所述阳极金属层的相对两侧的边沿，所述多个开孔中的部分所述开孔位于所述第三缺口与所述肖特基接触孔之间、且剩余所述开孔位于所述第四缺口与所述肖特基接触孔之间，所述第三缺口、所述第四缺口和所述开孔贯穿所述阳极金属层、且位于所述第二氧化层的正上方；以及

在所述硅外延片的下表面形成阴极金属层，从而制得所述肖特基二极管。