[发明专利]一种显示器件及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201810879276.X | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN109065756B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 左岳平;张帅;陈善韬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 器件 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示器件,其特征在于,包括:
阻隔层;
形成于所述阻隔层一侧的指纹传感器;
形成于所述阻隔层背离所述指纹传感器一侧的遮光层,所述遮光层具有第一过孔,且所述指纹传感器在所述阻隔层上的垂直投影位于所述遮光层在所述阻隔层上的垂直投影内;
形成于所述遮光层背离所述阻隔层一侧的中间层;
形成于所述中间层背离所述阻隔层一侧的像素界定层,所述像素界定层具有第二过孔,所述第二过孔内具有形成于所述中间层上的阴极层和形成于所述阴极层背离所述阻隔层一侧的发光层;
形成于所述像素界定层背离所述阻隔层一侧的抗反射增透膜层;
形成于所述发光层背离所述阻隔层一侧的阳极层。
2.根据权利要求1所述的显示器件,其特征在于,所述抗反射增透膜层在所述阻隔层的垂直投影的至少一部分位于所述阴极层在所述阻隔层上的垂直投影与所述遮光层在所述阻隔层上的垂直投影之间。
3.根据权利要求1所述的显示器件,其特征在于,所述抗反射增透膜层包括多个子膜层,且所述多个子膜层沿所述指纹传感器指向所述阻隔层方向叠置。
4.根据权利要求2所述的显示器件,其特征在于,所述抗反射增透膜层的制备材料包括MgF2、TiO2或者SiO2中的一种。
5.根据权利要求3所述的显示器件,其特征在于,所述抗反射增透膜层的厚度为可透过光线波长的四分之一倍。
6.根据权利要求1-5任一项所述的显示器件,其特征在于,所述中间层包括:
形成于所述遮光层背离所述阻隔层一侧的栅绝缘层;
形成于所述栅绝缘层背离所述阻隔层一侧的栅极;
形成于所述栅极背离所述阻隔层一侧的层间绝缘层;
形成于所述层间绝缘层背离所述阻隔层一侧的源漏电极层;
形成于所述源漏电极层背离所述阻隔层一侧的平坦层。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的显示器件。
8.一种显示器件的制备方法,其特征在于,包括:
在阻隔层的一侧设置指纹传感器;
在所述阻隔层背离所述指纹传感器一侧上形成遮光层,采用过孔刻蚀在所述遮光层上形成第一过孔,且通过构图工艺使所述指纹传感器在所述阻隔层上的垂直投影位于所述遮光层在所述阻隔层上的垂直投影内;
在所述遮光层上形成中间层;
在所述中间层背上形成像素界定层;
通过物理气相沉积或者化学气相在所述像素界定层上沉积抗反射增透薄膜,且通过构图工艺形成抗反射增透膜层;
采用过孔刻蚀在所述像素界定层上形成第二过孔;
在所述第二过孔内形成包括阴极层以及发光层;
在所述发光层上形成阳极层。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,还包括:
在所述遮光层上形成栅绝缘层;
在所述栅绝缘层上形成栅极;
在所述栅极上形成层间绝缘层;
在所述层间绝缘上形成源漏电极层;
在所述源漏电极层上形成平坦层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择