[发明专利]一种显示器件及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201810879276.X | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN109065756B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 左岳平;张帅;陈善韬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 器件 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明涉及显示技术领域,公开了一种显示器件及其制备方法、显示装置,该显示器件包括:阻隔层;形成于阻隔层一侧的指纹传感器;形成于阻隔层背离指纹传感器一侧的遮光层,遮光层具有第一过孔,指纹传感器在阻隔层上的垂直投影位于遮光层在阻隔层上的垂直投影内;形成于遮光层背离阻隔层一侧的中间层;形成于中间层背离阻隔层一侧的像素界定层,像素界定层具有第二过孔,第二过孔内具有阴极层和形成于阴极层背离阻隔层一侧的发光层;形成于像素界定层背离阻隔层一侧的抗反射增透膜层;形成于发光层背离阻隔层一侧的阳极层。该显示器件在内部设置抗反射增透膜层,利于削弱到达指纹传感器的杂散光并增强指纹反射光的强度,提升指纹识别的精准度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示器件及其制备方法、显示装置。
背景技术
当前的指纹识别显示器件多采用小孔成像的光学式识别形式,显示器件发出的光经指纹反射后小孔成像至指纹传感器。具体的:由于经指纹凹凸处反射到指纹传感器的光明暗不同可实现指纹识别功能。
但是,现有技术中指纹反射光需要穿透阴极才能传播至指纹传感器,在该过程中,指纹反射光会存在一定的光损失,此外,显示器件发光经阴极反射后的光也到达指纹传感器,该部分光线为杂散光、会使得指纹识别效果不佳。
针对以上指纹识别率不高的问题,当前技术主要为通过金属布线组合遮挡杂散光反射路径、以达到屏蔽杂散光提高识别率的目的。但是这些方法改善效果有限且会造成显示电路设计难度,对于实现高分辨率产品难度较大。
发明内容
本发明提供了一种显示器件及其制备方法、显示装置,上述显示器件通过在内部设置抗反射增透膜层,利于削弱到达指纹传感器的杂散光、并增强指纹反射光的强度,从而提升指纹识别的精准度。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种显示器件,包括:
阻隔层;
形成于所述阻隔层一侧的指纹传感器;
形成于所述阻隔层背离所述指纹传感器一侧的遮光层,所述遮光层具有第一过孔,且所述指纹传感器在所述阻隔层上的垂直投影位于所述遮光层在所述阻隔层上的垂直投影内;
形成于所述遮光层背离所述阻隔层一侧的中间层;
形成于所述中间层背离所述阻隔层一侧的像素界定层,所述像素界定层具有第二过孔,所述第二过孔内具有形成于所述中间层上的阴极层和形成于所述阴极层背离所述阻隔层一侧的发光层;
形成于所述像素界定层背离所述阻隔层一侧的抗反射增透膜层;
形成于所述发光层背离所述阻隔层一侧的阳极层。
上述显示器件,包括阻隔层、形成于阻隔层一侧的指纹传感器、以及形成于阻隔层背离指纹传感器一侧、且沿该方向依次排列的遮光层、中间层、像素界定层和抗反射增透膜层,其中:像素界定层具有第二过孔,第二过孔内沿背离阻隔层方向形成有阴极层和发光层,且发光层背离阻隔层的一侧设有阳极层。在使用时,本发明实施例中的显示器件将发出光线,光线到达手指,手指上的指纹对该部分光线进行反射,反射后的光线可透过遮光层的第一过孔传播至指纹传感器,指纹传感器进行指纹识别。在该过程中,发光层发出的光线部分被阴极层反射,该部分反射光线可传播至抗反射增透膜层、并经抗反射增透膜层射出显示器件内部。
本发明提供的显示器件内部增设抗反射增透膜层,该抗反射增透膜层可将阴极层反射的杂散光透过。该方式,一方面,避免了阴极层反射的杂散光传播至指纹传感器,影响指纹识别灵敏度,另一方面,使极层反射的杂散光射出显示器件,提升了显示器件的亮度,从而提升了到达手指的光线的强度,从另一个角度提升了指纹识别的准确度。由上述分析可知,本发明提供的显示器件的指纹识别的准确度较高。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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