[发明专利]一种LED封装结构及其制造方法在审
申请号: | 201810879405.5 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN109390456A | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 潘科豪;周圣伟;蓝逸生;周嘉峰;谢忠全;潘人豪;杨皓宇;康桀侑;曾子伦 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/54 | 分类号: | H01L33/54;H01L33/44;H01L33/50 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 文小莉;臧建明 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光芯片 发光元件 发光装置 遮蔽层 底面 芯片级封装 发光效率 发光颜色 电极组 蓝光 制造 侧面 | ||
1.一种LED封装结构,其特征在于,包括:
一芯片级封装CSP发光元件,所述CSP发光元件包括一发光芯片,所述发光芯片包括位于所述发光芯片的底面的电极组;
一遮蔽层,所述遮蔽层设置在所述CSP发光元件的底面或侧面,或所述遮蔽层设置在所述CSP发光元件的底面及侧面。
2.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述CSP发光元件还包括:
一围绕结构,所述围绕结构围设在所述发光芯片的侧面上;
一波长转换层,所述波长转换层设置在所述发光芯片的上表面以及所述围绕结构上,
且所述波长转换层与所述围绕结构之间的交界面形成一弧形结构。
3.根据权利要求2所述的LED封装结构,其特征在于,所述弧形结构的一端与所述波长转换层的顶面实质上平齐,另一端延伸到所述发光芯片的上表面的外沿处。
4.根据权利要求2所述的LED封装结构,其特征在于,所述弧形结构的一端与所述波长转换层的顶面实质上平齐,另一端延伸到所述发光芯片的侧面上。
5.根据权利要求2所述的LED封装结构,其特征在于,所述弧形结构为向上弯曲的凸面,或者,
所述弧形结构为向下弯曲的凹面。
6.根据权利要求2所述的LED封装结构,其特征在于,还包括:
透明封装层,所述透明封装层设置在所述波长转换层上,且所述波长转换层与所述透明封装层之间的接触面为向上凸起或向下凹的弧形面。
7.根据权利要求6所述的LED封装结构,其特征在于:所述透明封装层中分散有扩散粉。
8.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述遮蔽层设置在所述发光芯片的底面。
9.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述遮蔽层设置在所述电极组上。
10.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述CSP发光元件包括一围绕结构,所述围绕结构围设在所述发光芯片的侧面上;且所述遮蔽层设置在所述围绕结构的底面或至少部分侧面上,或所述遮蔽层设置在所述围绕结构的底面及至少部分侧面上。
11.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述CSP发光元件包括一波长转换层,且所述遮蔽层的侧面与所述波长转换层的侧面实质上共平面。
12.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述CSP发光元件包括一波长转换层,且所述遮蔽层设置在所述波长转换层的侧面上。
13.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述CSP发光元件包括一围绕结构,所述围绕结构围设在所述发光芯片的侧面上;所述CSP发光元件包括一波长转换层;且所述遮蔽层设置在所述波长转换层的侧面以及所述围绕结构的侧面和底面上。
14.根据权利要求11~13任一所述的LED封装结构,其特征在于,所述波长转换层为荧光胶层、荧光贴片或荧光薄膜与透明胶的组合。
15.根据权利要求10或13任一所述的LED封装结构,其特征在于,所述围绕结构的材料为以硅胶或环氧树脂为基底并掺杂有二氧化钛、二氧化硅、氧化锆、氮化硼其中之一或其组合。
16.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述遮蔽层的材质为金属材质、不透光绝缘材质、低透光的绝缘材质、绝缘胶、绝缘漆或低透光陶瓷材料。
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