[发明专利]一种含吡啶和三亚苯结构的化合物及其应用在审
| 申请号： | 201810879735.4 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN108948009A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 马腾达;荆一铭;黄达;陈少海 | 申请（专利权）人： | 瑞声科技（南京）有限公司 |
| 主分类号： | C07D471/04 | 分类号： | C07D471/04;C07D519/00;C07D401/14;C07D401/12;C07D405/04;C07D213/74;C07D409/04;C07D213/16;C07D405/14;C07D409/14;C09K11/06;H01L51/50;H01L5 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210093 江苏省南京市鼓楼区青岛路3*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 本发明化合物 有机电致发光材料 电子传输性能 空穴 合成路线 吡啶基团 占位 应用 平衡 成熟 | ||
1.一种含吡啶和三亚苯结构的化合物，其具有通式(I)所示的结构：
其中，
Rx、Ry表示氢、氘、C1-C36烷基、C3-C72芳基、C3-C72杂芳基；
Cz表示取代或未取代的萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、式(I-1)结构、式(I-2)结构、式(I-3)结构、式(I-4)结构或式(I-5)结构：
式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)、式(I-4)和式(I-5)中，
N21-N28各自独立地表示N或CRa，且N21-N28中至少有一个为CRa，且所述CRa的碳原子与式(I)的吡啶相连，所述Ra表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，所述Rb表示烷基或者杂芳基；
N31-N33、N36-N38各自独立地表示N或CRc，Rc表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，N34、N35为CH；
N41-N48各自独立地表示N或CRd，Rd表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，X表示O、S或Se原子；
N51-N62各自独立地表示N或CRe，Re表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，且N51-N62至少有一个CRe，且所述CRe的碳原子与式(I)的吡啶相连；
N71-N80各自独立地表示N或CRf，Rf表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基；
符号(*)表示该位置与通式(I)的吡啶相连接。
2.根据权利要求1所述的含吡啶和三亚苯结构的化合物，其特征在于，所述杂芳基中的杂原子选自N、P、S、O、Se、B或Si；所述芳基或杂芳基未取代或取代；所述取代通过碳原子或杂原子进行；所述芳基包括芳胺基或芳氧基；所述杂芳基包括杂芳胺基或杂芳氧基。
3.根据权利要求1所述的含吡啶和三亚苯结构的化合物，其特征在于，所述烷基未取代、被卤素取代或被芳基取代。
4.根据权利要求1所述的含吡啶和三亚苯结构的化合物，其特征在于，所述卤素为氟。
5.根据权利要求1所述的含吡啶和三亚苯结构的化合物，其特征在于，具有通式(II-1)所示结构：
其中，
M11-M16各自独立地表示N或CRp，Rp表示氢、氘、卤素、烷基或者芳基，且所述通式(II-1)中至少含有两个sp2杂化的N原子。
6.根据权利要求1所述的含吡啶和三亚苯结构的化合物，其特征在于，具有通式(II-2)、所示结构：
其中，
M21-M30各自独立地表示N或CRq，Rq表示氢、氘、卤素、烷基或者芳基。
7.根据权利要求1所述的含吡啶和三亚苯结构的化合物，其特征在于，具有通式(II-3)所示结构：
其中，
M31-M34各自独立地表示N或CRq，其中Rq表示氢、氘、卤素、烷基或芳基，
X1为S原子或O原子。
8.根据权利要求1所述的含吡啶和三亚苯结构的化合物，其特征在于，具有通式(II-4)所示的结构：
其中，
M41-M46各自独立地表示N或CRr，其中Rr表示为氢、氘、卤素、烷基或者芳基，Rz表示C6-C36芳基。
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