[发明专利]一种含吡啶和三亚苯结构的化合物及其应用

说明书

本发明属于有机电致发光材料领域，公开了一种含吡啶和三亚苯结构的化合物及其应用。本发明所公开的化合物具有通式(I)所示的结构。其中，由于吡啶基团在化合物中的占位比例较小，因而本发明化合物的空穴和电子传输性能较为平衡。另外，本发明化合物的合成路线成熟，从而为大批量工业化生产提供了可能性。

技术领域

本发明属于有机电致发光材料领域，特别涉及一种含吡啶和三亚苯结构的化合物及其应用。

背景技术

在有机电致发光器件技术领域，可通过不同的方式实现高效、高寿命的发光，对于发射光谱的发光层，其中一种方式就是采用主客体掺杂的形式进行效率和寿命的提升。

为了实现高效率的发光，避免能量从客体材料向主体材料的逆向能量回传，同时将三重态激子限定在发光层，主体材料的三重态能级应该大于掺杂材料的三重态能级。当主体材料的三重态能级小于掺杂材料的三重态能量时，将会发生从掺杂材料至主体材料能级反跃迁的现象，从而导致发光效率降低。因此，对于发光材料层，需要高热稳定性和高于掺杂材料三重态能量的主体材料。

现有技术中，大部分主体材料是空穴传输型主体材料或电子传输型主体材料。由于载流子传输性能的不平衡，这种单极性的主体材料容易形成不利的窄的复合区域。通常，当使用空穴传输型主体材料时，在发光层和电子传输层界面会产生电荷复合区域，而当使用电子传输型主体材料时，在发光层和空穴传输层界面会产生电荷复合区域。然而弱的载流子迁移率和发光层中不平衡的电荷对有机发光器件的发光效率不利。同时，有机电致磷光器件这种窄的电荷复合区域，会加快三重态－三重态湮灭过程，从而导致发光效率下降，尤其是在电流密度条件下。为了避免这种效应，通常采用的策略是：(1)使用两个发光层，其中一层使用空穴传输型主体材料，另一个发光层使用电子传输型主体材料；(2)将空穴传输型和电子传输型主体材料混合置于单个发光层中。然而，这两种策略使得器件的制备变得复杂，且混合的主体材料会导致相分离的问题。

因此，为了达到高效的电致发光效果，需要开发出结构稳定、且能够平衡电荷传输性能的主体材料。

发明内容

本发明的目的在于提供一种含吡啶和三亚苯结构的化合物，该种化合物为一种结构稳定、且能够平衡电荷传输性能的主体材料。

本发明所提供的含吡啶和三亚苯结构的化合物，其具有通式(I)所示的结构：

其中，

Rx、Ry表示氢、氘、C1-C36烷基、C3-C72芳基、C3-C72杂芳基；

Cz表示取代或未取代的萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、式(I-1)结构、式(I-2)结构、式(I-3)结构、式(I-4)结构或式(I-5)结构：

式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)、式(I-4)和式(I-5)中，

N₂₁-N₂₈各自独立地表示N或CRa，且N₂₁-N₂₈中至少有一个为CRa，且所述CRa的碳原子与式(I)的吡啶相连，所述Ra表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，所述Rb表示烷基或者杂芳基；

N₃₁-N₃₃、N₃₆-N₃₈各自独立地表示N或CRc，Rc表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，N₃₄、N₃₅为CH；

N₄₁-N₄₈各自独立地表示N或CRd，Rd表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，X表示O、S或Se原子；