[发明专利]一种硅片装载机构及硅片装载方法在审
申请号: | 201810879746.2 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN110797287A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 李文博;许明现 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 邢惠童 |
地址: | 100176 北京市大兴区亦*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片装载 装载区域 载板 硅片 装载组件 片槽 装载 承载 多次移动 生产效率 配置 移动 申请 | ||
本申请公开了一种硅片装载机构及硅片装载方法,属于硅片装载技术领域。所述硅片装载机构包括载板,配置为在载板的一装载区域内承载硅片,装载区域包括多个子装载区域,多个子装载区域中的每个包括多个用于承载硅片的片槽;多个装载组件,配置为将硅片装载在载板上的片槽内,多个装载组件与多个子装载区域一一对应。该硅片装载机构利用多个装载组件在载板的装载区域内各子装载区域的片槽装载硅片,实现了在硅片的装载过程中,无需对载板进行多次移动,既减少了载板的移动次数,也提高了硅片的装载精度,提高了硅片装载的生产效率。
技术领域
本申请涉及硅片装载技术领域,特别涉及一种硅片装载机构及硅片装载方法。
背景技术
太阳能电池是世界上公认的可大规模推广应用的清洁能源之一,特别是随着国家环保意识的加强,我国也在大力支持这一发电方式,尤其是对高效电池方面的支持力度逐年上升,而高效异质结电池作为高效电池制备的前列,在高效电池领域占据很大的比重。
在高效异质结电池生产过程中,PVD(Physical Vapor Deposition,物理气相沉积)制备工艺为该类电池制备中的关键工序。在PVD工艺中,需要将硅片放置在载板的沟槽内,然后盖上盖板,以防止硅片正反电极联通,再镀上透明导电膜。由于硅片尺寸较小且易碎,因此,在太阳能电池的加工过程中,需要保证硅片装载的精度。
目前,对于异质结电池中硅片的装载,以载板内每排沟槽之间的宽度为定长,按照定长的方式向前移动载板,每移动一次载板,机器人对载板中的一排沟槽进行硅片装载,直至载板中各排沟槽都装载有硅片。由于在硅片的装载过程中需要多次移动载板,使得载板在移动后易出现位置偏差,机器人无法精确地将硅片放置到载板对应的沟槽内,降低了设备的稼动率,降低了设备的生产效率。
发明内容
鉴于此,本申请提供一种减少载板移动次数的硅片装载机构及其硅片装载方法,以提高硅片装载设备的生产效率。
具体而言,包括以下的技术方案:
一方面,本申请实施例提供了一种硅片装载机构,所述硅片装载机构包括:
载板,配置为在所述载板的一装载区域内承载硅片,所述装载区域包括多个子装载区域,所述多个子装载区域中的每个包括多个用于承载所述硅片的片槽;
多个装载组件,配置为将所述硅片装载在所述载板上的所述片槽内,所述多个装载组件与所述多个子装载区域一一对应。
在一种可能的设计中,所述硅片装载机构还包括:
载板传送带,配置为传送所述载板;
至少一个硅片传送带,配置为传送所述硅片。
在一种可能的设计中,所述至少一个硅片传送带为多个硅片传送带;
相应地,所述多个硅片传送带中的每个配置为与其对应的至少一个所述装载组件传送所述硅片。
在一种可能的设计中,所述定位组件还包括:所述至少一个硅片传送带包括:第一硅片传送带和第二硅片传送带;
所述多个装载组件包括:第一装载组件、第二装载组件、第三装载组件和第四装载组件;
其中,所述第一硅片传送带位于所述载板的第一侧;所述第二硅片传送带位于所述载板的第二侧,所述第一侧和所述第二侧相对;
所述第一硅片传送带为所述第一装载组件和第二装载组件传送所述硅片;所述第二硅片传送带为所述第三装载组件和第四装载组件传送所述硅片。
在一种可能的设计中,所述载板传送带的传送方向与所述硅片传送带的传送方向相同。
在一种可能的设计中,所述硅片装载机构还包括:至少一个定位组件,所述至少一个定位组件配置为定位所述载板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于君泰创新(北京)科技有限公司,未经君泰创新(北京)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810879746.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶圆架
- 下一篇:衬底处理系统、衬底处理装置及半导体器件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造