[发明专利]闪存及其制造方法

权利要求书

1.一种闪存的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，在所述衬底上依次形成栅极氧化层、浮栅层和浮栅掩膜层；

刻蚀所述浮栅掩膜层形成开口，开口暴露出所述浮栅层，并且形成第一侧墙；

以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀部分所述浮栅层形成沟槽；

在所述开口及沟槽处沉积氧化物形成氧化物层，刻蚀所述氧化物层以暴露所述浮栅层并且保留开口及沟槽内的部分氧化物层形成第二侧墙；

以所述第二侧墙为掩膜，继续刻蚀所述第二侧墙内的所述浮栅层和所述栅极氧化层以暴露所述衬底，并沉积氧化物，对所述氧化物进行热退火工艺；

刻蚀所述氧化物层形成第三侧墙，所述第三侧墙连接所述第二侧墙和所述衬底。

2.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于，所述以第二侧墙为掩膜，继续刻蚀所述浮栅层和所述栅极氧化层以暴露所述衬底的步骤中，刻蚀所述浮栅层的时间为34秒至36秒。

3.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于，所述氧化物进行热退火工艺的步骤中，所述热退火的工艺是在氢气和氧气的环境下，氢气和氧气升温到1000摄氏度至1080摄氏度，热退火的时间为20秒至25秒。

4.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于，在刻蚀所述氧化物层形成第三侧墙后，所述闪存的制造方法还包括向所述第二侧墙和所述第三侧墙围合形成的槽内沉积多晶硅。

5.如权利要求4所述的闪存的制造方法，其特征在于，所述闪存的制造方法还包括刻蚀所述多晶硅。

6.如权利要求5所述的闪存的制造方法，其特征在于，在刻蚀所述多晶硅后，所述闪存的制造方法还包括去除所述第二侧墙外的所述浮栅掩膜层。

7.如权利要求6所述的闪存的制造方法，其特征在于，去除所述第二侧墙外的所述浮栅掩膜层后，所述闪存的制造方法还包括：刻蚀所述第二侧墙外的所述浮栅层形成浮栅。

8.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于，所述浮栅层为多晶硅。

9.一种闪存，其特征在于，包括采用如权利要求1-8中任一项所述的闪存的制造方法制备，所述闪存包括：衬底、位于所述衬底上的栅极氧化层、位于所述栅极氧化层上的浮栅、位于所述浮栅上的第二侧墙、所述第二侧墙之间形成有第三侧墙，所述第三侧墙连接所述第二侧墙和所述衬底表面，所述第三侧墙覆盖所述浮栅和所述栅极氧化层的侧壁。