[发明专利]闪存及其制造方法

说明书

本发明提供了一种闪存及其制造方法，该闪存的制造方法包括：提供一衬底，在所述衬底上依次形成栅极氧化层、浮栅层和浮栅掩膜层；刻蚀所述浮栅掩膜层形成开口，形成第一侧墙；以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀部分所述浮栅层形成沟槽；在所述开口及沟槽处沉积氧化物形成氧化物层，刻蚀所述氧化物层形成第二侧墙；刻蚀第二侧墙内的浮栅层和栅极氧化层以暴露所述衬底，并沉积氧化物，对所述氧化物进行热退火工艺；刻蚀所述氧化物层形成第三侧墙，第三侧墙连接所述第二侧墙和所述衬底。本发明增加了热退火工艺，该工艺引入氢气，在氢气氛围下，可有效减少氧化物内的缺陷，还能增加后续形成的第三侧墙对浮栅层的覆盖效果，最终增加闪存的数据保持能力。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种闪存及其制造方法。

背景技术

闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非易失性存储器中研究的热点，并且闪存被广泛用于手机、笔记本、掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中。

闪存作为一种非易失性存储器，其工作原理是通过改变晶体管或存贮单元的临界电压来控制栅极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存作为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今闪存已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。

闪存是浮栅结构的MOS型晶体管，工作原理是通过对浮栅注入或者释放电荷改变存储单元的阈值电压来达到存储或释放数据的目的，擦除的过程是在控制栅与阱上施加反向电压，通过隧道效应将电荷拉出浮栅，编程是通过控制栅与位线上施加电压通过沟道效应将电荷注入浮栅，然而，现有技术中，闪存的数据保持能力有待提升。

发明内容

本发明的目的在于提供闪存的制造方法及其闪存，可以提高闪存的数据保持能力。

为了达到上述目的，本发明提供了一种闪存的制造方法，包括：

提供一衬底，在所述衬底上依次形成栅极氧化层、浮栅层和浮栅掩膜层；

刻蚀所述浮栅掩膜层形成开口，开口暴露出所述浮栅层，并且形成第一侧墙；

以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀部分所述浮栅层形成沟槽；

在所述开口及沟槽处沉积氧化物形成氧化物层，刻蚀所述氧化物层以暴露所述浮栅层并且保留开口及沟槽内的部分氧化物层形成第二侧墙；

以所述第二侧墙为掩膜，继续刻蚀所述第二侧墙内的所述浮栅层和所述栅极氧化层以暴露所述衬底，并沉积氧化物，对所述氧化物进行热退火工艺；

刻蚀所述氧化物层形成第三侧墙，所述第三侧墙连接所述第二侧墙和所述衬底。

可选的，在所述的闪存的制造方法中，所述以第二侧墙为掩膜，继续刻蚀所述浮栅层和所述栅极氧化层以暴露所述衬底的步骤中，刻蚀所述浮栅层的时间为34秒至36秒。

可选的，在所述的闪存的制造方法中，所述氧化物进行热退火工艺的步骤中，所述热退火的工艺是在氢气和氧气的环境下，氢气和氧气升温到1000摄氏度至1080摄氏度，热退火的时间为20秒至25秒。

可选的，在所述的闪存的制造方法中，在刻蚀所述氧化物层形成第三侧墙后，所述闪存的制造方法还包括向所述第二侧墙和所述第三侧墙围合形成的槽内沉积多晶硅。

可选的，在所述的闪存的制造方法中，所述闪存的制造方法还包括刻蚀所述多晶硅。

可选的，在所述的闪存的制造方法中，在刻蚀所述多晶硅后，所述闪存的制造方法还包括去除所述第二侧墙外的所述浮栅掩膜层。

可选的，在所述的闪存的制造方法中，去除所述第二侧墙外的所述浮栅掩膜层后，所述闪存的制造方法还包括：刻蚀所述第二侧墙外的所述浮栅层形成浮栅。