[发明专利]具有电阻可变存储器件的半导体存储器系统及其驱动方法

说明书

本发明提供了一种包括电阻可变存储器件的半导体存储器系统及其驱动方法。半导体存储器系统包括：存储器控制器，其包括被配置为确定写入命令的生成时段的调度器；存储器件，其包括存储单元阵列，所述存储器件被配置为响应于写入命令将从存储器控制器输入的数据写入存储单元阵列中；以及数据确定电路，其被配置为当输入数据的所有逻辑电平彼此相等时向调度器输出改变信号，所述调度器响应于所述改变信号来改变所述写入命令的生成时段。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年10月27日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0141358的韩国申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

各种实施例总体而言涉及一种半导体系统及其驱动方法，更具体地，涉及具有包括相变电阻层的电阻可变存储器件的半导体存储器系统及其驱动方法。

背景技术

由于已经需要具有高容量和低功耗的存储器件，正在对非易失性的、以及不需要刷新操作的下一代存储器件进行研究。

下一代存储器件通常需要动态随机存取存储器(DRAM)的高容量、快闪存储器的非易失性特性以及静态随机存取存储器(SRAM)的高速度。

下一代存储器件可以包括诸如相变RAM(PCRAM)、纳米浮栅存储器(NFGM)、聚合物RAM(PoRAM)、磁性RAM(MRAM)、铁电式RAM(FeRAM)、电阻式RAM(ReRAM)等的可变电阻存储器件。

发明内容

实施例涉及具有减少的操作时间的半导体存储器系统。

在本公开的一个实施例中，一种半导体存储器系统可以包括：数据确定电路，其被配置为基于输入数据的逻辑电平来输出改变信号；以及调度器，其被配置为响应于所述改变信号来改变写入命令的生成时段。

在本公开的一个实施例中，一种半导体存储器系统可以包括：存储器控制器，其包括被配置为确定写入命令的生成时段的调度器；存储器件，其包括存储单元阵列，所述存储器件被配置为响应于所述写入命令将从所述存储器控制器输入的数据写入到所述存储单元阵列中；以及数据确定电路，其被配置为当所述输入数据的所有逻辑电平彼此相等时向所述调度器输出所述改变信号，所述调度器响应于所述改变信号改变所述写入命令的生成时段。

所述数据确定电路可以被包括在所述存储器件中，并且所述数据确定电路可以包括复位确定电路，所述复位确定电路被配置为当所述输入数据中的每一个具有第一逻辑电平时响应于复位恢复时间输出所述改变信号。

所述数据确定电路可以被包括在所述存储器件中，并且所述数据确定电路可以包括设置确定电路，所述设置确定电路被配置为当所述输入数据中的每一个具有第二逻辑电平时响应于复位恢复时间输出所述改变信号。

所述数据确定电路可以被包括在所述存储器件中，并且包括：复位确定电路，其被配置为当所述输入数据中的每一个具有第一逻辑电平时输出第一改变信号；设置确定电路，其被配置为当所述输入数据中的每一个具有第二逻辑电平时输出第二改变信号；以及改变信号输出电路，其被配置为当所述第一改变信号和所述第二改变信号中的任何一个被使能时响应于复位恢复时间来输出所述改变信号。

所述数据确定电路还可以包括：选择性阻止电路，其被配置为当所述输入数据是当前输入数据时，在储存在所述存储单元阵列中的先前输入数据与所述当前输入数据相同时阻止所述当前输入数据到所述存储单元阵列的传送。

一种半导体存储器系统还可包括：数据发生电路，其被配置为响应于从所述存储器控制器生成的测试模式信号来生成具有彼此相等的逻辑电平的所述输入数据。